1. 產品概述
離子注入機是高壓小型加速器中的一種，應用數量最多。它是由離子源得到所需要的離子，經過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流，用做半導體材料、大規(guī)模集成電路和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等。
2. 設備特點
單價離子大加速能量≥200keV，并增加減速系統(tǒng)實現單價離子在5keV~200keV的能量范圍
可用于2、3、4、6、8英寸晶圓以及不規(guī)則碎片
可注入B、P、As、Al、S、H、Mg、Si離子
注入劑量精準度≤1.5%
離子注入劑量范圍：1×1011 at/cm2～1×1016 at/cm2
離子源部分：離子源、離子源氣體系統(tǒng)和離子源引出系統(tǒng)
離子源系統(tǒng)搭載5套從固體蒸發(fā)源產生離子的Vaporizer，溫度達700℃，實現固態(tài)源的離子注入
離子注入傾斜角度在0°和7°
室溫臺：0°和7°；高溫臺：0°
束流調整系統(tǒng)主要包括：質量分析器、束流匯聚系統(tǒng)、加速系統(tǒng)、掃描系統(tǒng)、束流檢測和高壓絕緣變壓器
真空系統(tǒng)主要包括：Ion Source真空系統(tǒng)、Beam Line真空系統(tǒng)、End Station真空系統(tǒng)、真空系統(tǒng)中的真空管件和閥門以及真空檢測單元
真空度：
Ion Source真空度：≤7×10-4Pa
Beam Line真空度：≤7×10-5Pa
End Station真空度：≤7×10-5Pa
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