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分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號customized

品牌沈陽科儀

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地深圳市

更新時間:2025-06-05 07:31:46瀏覽次數(shù):1457次

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分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束,從爐中噴出后,沉積在高溫的單晶基片上。如果設(shè)置幾個噴射爐,就可以制取多元半導(dǎo)體混晶,又可以同時進(jìn)行摻雜??梢跃_地控制結(jié)晶生長,進(jìn)行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長過程的研究。

1. 產(chǎn)品概述

分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束,從爐中噴出后,沉積在高溫的單晶基片上。如果設(shè)置幾個噴射爐,就可以制取多元半導(dǎo)體混晶,又可以同時進(jìn)行摻雜。可以精確地控制結(jié)晶生長,進(jìn)行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長過程的研究。

2. 設(shè)備特點

分子束外延,是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中,將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束,從爐中噴出后,沉積在溫度保持在100°以上的單晶基片上。如果設(shè)置幾個噴射爐,就可以制取多元半導(dǎo)體混晶,又可以同時進(jìn)行摻雜。可以精確地控制結(jié)晶生長,進(jìn)行沉積系統(tǒng)中結(jié)晶生長過程的研究。

12個源爐:鎵、銦、鋁、砷、銻、磷、鉍、硅、鎂、摻雜等

襯底:大4inch ;

高溫度:1000°C 溫度均勻性:≤±3°C(4inch)

超高真空下全自動樣品轉(zhuǎn)移;

用于過程控制和分析的所有現(xiàn)代現(xiàn)場監(jiān)控功能

一個集群上多7個超高真空功能單元:裝載、儲存、翻轉(zhuǎn)、處理、排氣、生長,外部腔室;

可連接其他分析設(shè)備或其他:ALD、PLD、PVD、金屬化、STM。

濺射系統(tǒng)

iTops PVD AlN 濺射系統(tǒng),采用托盤形式,可兼容 2/4/6

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