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详细摘要： Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliatio...

详细摘要： 二硫化钨钼晶体 MoWS2（Molybdenum Tungsten Disulfide alloy）晶体尺寸：~6毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：...

详细摘要： 制备方法：层间催化裂解法厚度：1~5nm直径：~5um比表面积：90-130 m2/g外观：黑色粉末制备方法：层间催化裂解法 厚度：1~5nm直径：~5um比表...

详细摘要： 二硫化铌晶体 3R-NbS2（Niobium Disulfide）晶体尺寸：4毫米电学性能：金属晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.330 nm, c...

详细摘要： 二硫化铅锡晶体 PbSnS2（Lead Tin Disulfide）晶体结构：六边形类型：天然晶体尺寸：~8mm纯度：99.995%属性：半导体

详细摘要： 二硫化铼晶体 ReS2 （Rhenium Disulfide）晶体结构：三斜晶晶体尺寸：~8毫米电学性能：N型半导体晶体结构：三斜晶系晶胞参数：a = 0.63...

详细摘要： 制备方法：层间催化裂解法厚度：~2nm直径：5~10um纯度：98%含氧量：1.44%电导率：~2597 s/cm

详细摘要： 二硫化锡晶体 2H-SnS2（Tin Sulfide）晶体尺寸：~8毫米电学性能：半导体（~ 2.2ev）晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.364,...

详细摘要： Carboxyl （-COOH） functionalized graphene has been developed at our facilities. C...

详细摘要： 二硫化钽晶体（1T） TaS2（Tantalum Sulfide） -1T晶体尺寸：~8毫米电学性能：半导体，电荷密度波（CDW），Mott相晶体结构：六边形晶...

详细摘要： 二硫化钽晶体（2H） TaS2（Tantalum Sulfide） -2H晶体尺寸：~10毫米电学性能：Metal, Charge density waves ...

详细摘要： Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

详细摘要： 二硫化钛晶体 TiS2（Tantalum Sulfide） 晶体结构：六边形晶体尺寸:~10毫米电学性能：半金属，逆磁性晶体结构：六边形晶胞参数：a = b =...

详细摘要： Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is...

详细摘要： Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliatio...

详细摘要： 二硫化钨晶体 2H-WS2（Tungsten Disulfide）晶体结构：六边形晶体尺寸：~10毫米电学性能：N型半导体晶体结构：六边形晶胞参数：a = b ...

详细摘要： Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.

详细摘要： 硫盐矿物晶体 Pb3Sn4FeSb2S14（Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide）晶体结构：六边形类型：合成尺寸：~8mm纯度：99...

详细摘要： Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide （2H-MoS?） comes ...

详细摘要： 晶体尺寸：10毫米电学性能：半导体晶体结构：斜方晶系晶胞参数：a = 0.4025nm，B = 1.117nm，C = 1.135nm，α=β=γ= 9晶体类型...