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详细摘要： 二硫化铌晶体 2H-NbS2（Niobium Disulfide）晶体尺寸：2毫米电学性能：金属，superconductor （Tc~6K）, charge ...

详细摘要： 三硫化铌晶体（99.995%） NbS3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,In...

详细摘要： 三硫化铁（磷掺杂）晶体（99.995%） FePS3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

详细摘要： 三硫化锰（磷掺杂）晶体（99.995%） MnPS3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

详细摘要： 三硫化镍（磷掺杂）晶体（99.995%） NiPS3晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,Ga...

详细摘要： 硫磷化铜（铟掺杂）晶体（99.995%） CuInP2S6晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%低维材料层状过渡金属化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3...

详细摘要： As2S3 comes in perfect 2:3 stoichiometry.

详细摘要： Bismuth sulfide （Bi?S?） Developed at our facilities in the last five （5） years t...

详细摘要： Bismuth Telluride Sulfide （Bi?Te?.?S?.?） is developed at our facilities.

详细摘要： CuS is a member of metal chalcogenides （see our GaSe and GaTe products）.

详细摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.

详细摘要： Our MoWS2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）S2 crystals perfectly crysta...

详细摘要： Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.

详细摘要： Molybdenum atoms perfectly incorporated into ReS2 matrix.

详细摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.

详细摘要： Our newest class of material: Sb2xAs2（1-x）S3 comes in perfect 1:1:3 stoichiometr...

详细摘要： Synthetic MoS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type dop...

详细摘要： High purtiy WS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type do...

详细摘要： 石墨烯纸（导电） Graphene Film-Super Paper直径：40毫米厚度：20微米导电性：2x103s /米拉伸模数：10 GPa颜色：黑色高导热...

详细摘要： 石墨烯纸（非导电） Graphene Film-Super Paper直径：40毫米厚度：20um电导率：非导电，8x10-2 S / M拉伸模数20 GPa颜...