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详细摘要： 有序介孔碳-cmk-8 Ordered Mesoporous Carbon - cmk-8制备方法：模板法 空间群：la3d比表面积（平方米/克）：720孔径（...

详细摘要： The first MoWTe2 ternary alloy.

详细摘要： In the bulk form （TlSe）, Thalium selenide, has band-gap at around 0.7 eV and dis...

详细摘要： World's first commercially available PbGa2Se4 crystals!

详细摘要： 多孔碳 Porous Carbon密度（g/cm3）：~ 0.3粒径（µm）（D50）：5或8灰分含量（%）：≤0.5% pH值：6.5-7.5表面积...

详细摘要： 无序介孔碳 Disordered Mesoporous制备方法：硬模板法合成比表面积（平方米/克）：600平均孔径（纳米）：50纳米颗粒尺寸：1微米可逆容量（第...

详细摘要： This item is currently out of stock. Please expect 4-6 weeks lead time.

详细摘要： 氮掺杂有序介孔碳 N-Doped Mesoporous Carbon制备方法：硬模板氮掺杂的介孔碳 CMK-3平均尺寸：1 um碳/氮（原子）：4.3空间群：二...

详细摘要： Similar to graphene and MoS?, VSe? is also layered material （layered transition ...

详细摘要： First commercially available CoSe2 crystals. They are perfectly layered and samp...

详细摘要： 羧基石墨烯水溶液 Carboxyl Graphene Water Dispersion直径：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%纯度：99%

详细摘要： InSe （indium selenide） is the first commercially available InSe layered material...

详细摘要： 单层氧化石墨烯乙醇溶液 Single Layer Graphene Oxide Ethanol Dispersion制备方法：改良的H法浓度为5mg/mL 10...

详细摘要： 单层氧化石墨烯水溶液 Single Layer Graphene Oxide Water Dispersion新产品：gno1w001制备方法：改良的H法浓度：...

详细摘要： In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV （indirect） and 1.25 direct g...

详细摘要： Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

详细摘要： More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as w...

详细摘要： 氧化石墨烯（进口） Graphite Oxide用H法制备，水溶性好直径：0.5~5um厚度：1~3nm

详细摘要： Unlike other sources, our GaSe crystals are best suited towards electronic and o...

详细摘要： Our single crystal GeSe （Germanium selenide） crystals come with guaranteed optic...