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详细摘要： 单层石墨烯（进口） Single Layer Graphene高比表面积石墨烯制备方法：热剥离还原与氢化还原BET比表面积（平方米/克）：400~1000电阻率...

详细摘要： In2Se3 single crystals were grown using Physical vapor transport （PVT） as well a...

详细摘要： 单层石墨烯（石墨烯家族）Single Layer Graphene （Graphene Factory）BET比表面积（平方米/克）：650 ~ 750电导率（...

详细摘要： Our MoSe2 crystals are grown using two different techniques through chemical vap...

详细摘要： 石墨烯纳米薄片（2~10nm） Graphene Nanoplatelets体积特性外观：黑色和灰色粉末碳含量：＞99.5%体积密度：0.10克/毫升水含量：0...

详细摘要： 100% environmentally stable metallic NbSe2 crystals: In the bulk form, niobium d...

详细摘要： 高比表面积氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制备方法：改良的H法高表面积氧化石墨烯直径：1 ~ 5um厚度：0.8~1...

详细摘要： Platinum diselenide （PtSe2） is a member of transition metal dichalcogenide （TMDC...

详细摘要： Magnetic semiconductor ZnPSe3 has a monoclinic structure with the factor group C...

详细摘要： Our MoSSe alloys with the chemical formula MoS2xSe2（1-x） crystals perfectly crys...

详细摘要： Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilities since early 2011 to optimi...

详细摘要： Years of growth optimization lead to our flawless n-type MoSe2 crystals through ...

详细摘要： 14 years of growth optimization lead to our flawless n-type WSe2 crystals throug...

详细摘要： P-type electronically doped Bismuth Selenide （Bi?Se?） Developed at our facilitie...

详细摘要： Single crystal ReSe? （Rhenium diselenide） crystals are developed at our faciliti...

详细摘要： Our WSSe alloys with the chemical formula WS2xSe2（1-x） crystals perfectly crysta...

详细摘要： ZrSe2 belongs to group-IV TMDCs family and adopts a stable 2H-hexagonal structur...

详细摘要： The only commercially available TlGaSe2 vdW crystals have been synthesized at ou...

详细摘要： Bulk PdSe2 （palladium diselenide） has been predicted to exhivit 30 meV band gap ...

详细摘要： Single crystal ReSxSe2（1-x） alloy rystals are developed at our facilities using ...