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二硫化鉭晶體(1T/百分之99.995) TaS2

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更新時(shí)間:2025-05-07 16:58:05瀏覽次數(shù):1171

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供貨周期 一周    
二硫化鉭晶體(1T) TaS2(Tantalum Sulfide) -1T
晶體尺寸:~8毫米
電學(xué)性能:半導(dǎo)體,電荷密度波(CDW),Mott相
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):a = b = 0.336 nm, c = 0.590 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%

詳細(xì)介紹

二硫化鉭晶體(1T) TaS2(Tantalum Sulfide) -1T
晶體尺寸:~8毫米
電學(xué)性能:半導(dǎo)體,電荷密度波(CDW),Mott相
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):a = b = 0.336 nm, c = 0.590 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%

 

X-ray diffraction on a Tantalum Disulfide single crystal aligned along the (001) plane. XRD on the 1T-TaS2 was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4, 5

 

Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal 1T-TaS2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

 

Stoichiometric analysis of a single crystal 1T-TaS2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).

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