8英寸電感耦合等離子體-深硅刻蝕（ICP-DSE）設備
1. 詳細介紹
Pishow® D 系列深刻蝕設備，是針對8英寸~6英寸產線或科研深硅刻蝕工藝的用設備，擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設計，保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。
提供Si Bosch工藝的解決方案。
該設備高性價比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率，可幫助不同客戶實現產能升。
2. 系統(tǒng)特性
Pishow® D 系列是采用深硅刻蝕技術的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備
提供Bosch解決方案，實現對Si的高深寬比刻蝕
優(yōu)化的氣柜設計，縮短進氣距離，短工藝切換時間小于1.0
Pishow® D 系列可選擇8~4英寸晶圓，提供單腔式和多腔式等多種腔室搭配方式
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