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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

當(dāng)前位置:深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司>>半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備>>5 刻蝕設(shè)備>> Pangea® A 系列12英寸離子束塑形(IBS) 設(shè)備

12英寸離子束塑形(IBS) 設(shè)備

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號Pangea® A 系列

品牌魯汶

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地徐州市

更新時間:2025-06-05 21:13:49瀏覽次數(shù):864次

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Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速,中性束流撞擊樣品表面,濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠離晶圓空間,起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案,幾乎可以用來刻蝕任何固體材料,包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制,提升了工藝可控性;載片臺的角度可調(diào)整,實現(xiàn)離子束傾斜入射,可用于特殊圖案的刻蝕,也適用于

1. 產(chǎn)品概述

Pangea®A系列常規(guī)IBS設(shè)備由離子源柵極引出正離子并加速,中性束流撞擊樣品表面,濺射形成刻蝕圖像。由于等離子體的產(chǎn)生遠離晶圓空間,起輝不受非揮發(fā)性副產(chǎn)物的影響。這種物理方案,幾乎可以用來刻蝕任何固體材料,包括金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體等。柵網(wǎng)拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制,提升了工藝可控性;載片臺的角度可調(diào)整,實現(xiàn)離子束傾斜入射,可用于特殊圖案的刻蝕,也適用于側(cè)壁清洗等工藝。

2. 系統(tǒng)特性

Pangea®A系列適用于12英寸晶圓,配置大口徑離子源,刻蝕均勻性(1 σ)達到< 1%

樣品臺可偏轉(zhuǎn)(tilt),偏轉(zhuǎn)范圍:-90°到+80°,實現(xiàn)離子束傾斜入射

工藝過程中,樣品臺可自轉(zhuǎn)

可搭配多種傳輸模塊




深硅刻蝕機

深硅刻蝕機PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕,同時兼具Bosch

深硅刻蝕機

深硅刻蝕機HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結(jié)

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