1 產(chǎn)品概述：

      碳化硅沉積系統(tǒng)是一種專門用于生產(chǎn)碳化硅（SiC）材料的設備，它采用化學氣相沉積（CVD）或其他相關技術，在特定條件下將碳和硅元素以氣態(tài)形式引入反應室，并通過化學反應在基底上沉積形成碳化硅薄膜或晶體。該系統(tǒng)在半導體、光伏、新能源汽車等行業(yè)中具有廣泛應用，是制備高性能碳化硅器件的關鍵設備之一。

2 設備用途：

  半導體行業(yè)：用于制備碳化硅基功率器件，如MOSFET、肖特基二極管等，這些器件在電動汽車、光伏逆變器、軌道交通等領域具有重要應用。

  光伏行業(yè)：在光伏逆變器中使用碳化硅功率器件可以提高太陽能轉化效率，降低系統(tǒng)成本。

  新能源汽車：碳化硅功率器件在電動汽車的電機控制器、電池管理系統(tǒng)等關鍵部件中發(fā)揮著重要作用，有助于提高車輛性能、降低能耗。
3. 設備特點

化合物半導體沉積系統(tǒng)通常具備以下特點：

1. 高精度與均勻性：

      碳化硅沉積系統(tǒng)能夠實現(xiàn)高精度的沉積控制，確保薄膜或晶體的厚度、成分和結構的均勻性。

      這對于提高器件的性能和可靠性至關重要。

2. 多功能性：

      系統(tǒng)支持多種沉積方法和工藝參數(shù)調(diào)整，以滿足不同材料和器件的制備需求。

      可以制備出具有不同電阻率、熱導率等特性的碳化硅材料。

3. 高溫與穩(wěn)定性：

      碳化硅沉積過程通常需要在高溫條件下進行，系統(tǒng)需要具備穩(wěn)定的高溫控制能力和良好的熱傳導性能。

      高溫環(huán)境有助于促進化學反應的進行和碳化硅晶體的生長。

4  設備參數(shù)：

·         運行 4 個系統(tǒng)，用于 150/200 mm SiC 工藝開發(fā)

·         由德國弗勞恩霍夫研究所（Fraunhofer Institute）提供支持的全面材料表征能力

·         通過碳化硅工藝演示/開發(fā)和培訓為客戶提供支持

·         150 mm 和 200 mm – 支持雙晶圓尺寸 – 為您的未來投資提供保障

·         市場上高的晶圓產(chǎn)量 / m2