1 產(chǎn)品概述：

      化合物半導體沉積系統(tǒng)是一類專門用于制備化合物半導體材料的設備，這些材料通常由兩種或多種元素組成，如GaAs、GaN和SiC等。這些材料因其高功率、高頻率等特性，在信息通信、光電應用以及新能源汽車等產(chǎn)業(yè)中占據(jù)重要地位。

2 設備用途：

化合物半導體沉積系統(tǒng)的主要用途包括：

1. 晶圓制備：通過外延生長技術(shù)，在襯底上沉積高質(zhì)量的化合物半導體薄膜，用于制造高性能的半導體器件。

2. 芯片設計與制造：支持化合物半導體器件的設計與制造過程，包括射頻功率放大器、高壓開關器件等。

3. 光電器件：用于制造太陽電池、半導體照明、激光器和探測器等光電器件。

4. 微波射頻：在移動通信、導航設備、雷達電子對抗以及空間通信等系統(tǒng)中，化合物半導體沉積系統(tǒng)用于制造射頻功率放大器等核心組件。

3. 設備特點

化合物半導體沉積系統(tǒng)通常具備以下特點：

1. 高精度與均勻性：

      沉積均勻性：能夠?qū)崿F(xiàn)晶圓級的高沉積均勻性，確保薄膜厚度和質(zhì)量的一致性。

      精確控制：通過調(diào)節(jié)沉積參數(shù)，如溫度、壓力、氣體流量等，可以精確控制薄膜的化學成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)和晶粒度。

2. 多功能性：

      多種沉積方法：支持化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）等多種沉積方法，滿足不同材料和器件的制備需求。

      多種薄膜材料：能夠沉積金屬薄膜、非金屬薄膜、多組分合金薄膜以及陶瓷或化合物層等多種薄膜材料。

3. 高溫與低溫兼容性：

      高溫沉積：部分設備能夠在高溫下工作，確保薄膜的結(jié)晶質(zhì)量和純度。

      低溫輔助：采用等離子或激光輔助技術(shù)，可以降低沉積溫度，保護基體材料不受高溫損傷。

4. 高效與自動化：

      高吞吐量：通過優(yōu)化設計和自動化控制，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本

4  設備參數(shù)：

·         晶圓尺寸配置包括 3x2 英寸、6x2 英寸、19x2 英寸等多種規(guī)格。

·         具有動態(tài)工藝間隙調(diào)整功能，高工作溫度可達 1400°C（部分型號）