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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

去膠設(shè)備

參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)NA-1300系列

品牌ULVAC/日本愛(ài)發(fā)科

廠商性質(zhì)經(jīng)銷(xiāo)商

所在地國(guó)外

更新時(shí)間:2025-06-05 14:53:49瀏覽次數(shù):648次

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去膠設(shè)備N(xiāo)A-1300系列

從關(guān)鍵的新世代晶圓制程到晶圓封裝,Luminous NA系列可對(duì)應(yīng)廣范圍的各類(lèi)晶圓尺寸的各類(lèi)工藝需求。

1 產(chǎn)品概述:

    去膠設(shè)備通過(guò)不同的技術(shù)和方法去除物體表面的雜質(zhì)。在電子行業(yè)中,等離子去膠機(jī)是一種先進(jìn)的去膠設(shè)備,它利用等離子體中的高能粒子對(duì)光刻膠進(jìn)行轟擊,使其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)和物理剝離,從而實(shí)現(xiàn)去除光刻膠的目的。等離子去膠機(jī)通常包括反應(yīng)室、等離子體發(fā)生器、控制系統(tǒng)和真空系統(tǒng)等關(guān)鍵部件。

2 設(shè)備用途:

    去膠設(shè)備的用途廣泛,特別是在電子、汽車(chē)、化工、建筑等多個(gè)領(lǐng)域。在電子行業(yè)中,去膠設(shè)備主要用于:

  1. 半導(dǎo)體制造:去除硅基半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體表面的光阻灰化、高劑量離子注入后的光刻膠殘留、晶圓表面的殘膠和污染物等。

  2. 晶圓級(jí)封裝:在晶圓級(jí)封裝的前處理工藝中,去除晶圓表面的污染物和雜質(zhì),提高封裝質(zhì)量。

  3. 電路板制造:去除印刷電路板表面的膠層,提高電路板的精度和可靠性。

3 設(shè)備特點(diǎn)

  高效性:等離子去膠機(jī)去膠速度較快,可以在較短的時(shí)間內(nèi)完成大量樣品的處理,提高生產(chǎn)效率。

  環(huán)保性:相比化學(xué)去膠方法,等離子去膠機(jī)不需要使用有害的化學(xué)試劑,處理過(guò)程中不會(huì)產(chǎn)生有毒廢物,對(duì)環(huán)境的影響較小。

  可控性:通過(guò)調(diào)節(jié)等離子體的參數(shù)(如功率、氣壓、氣體種類(lèi)等),可以精確控制去膠的速度和效果,滿(mǎn)足不同工藝需求。

  兼容性:等離子去膠機(jī)適用于各種類(lèi)型的光刻膠和底層材料,且對(duì)底層材料的損傷較小。

  集成性:可以與其他等離子體工藝(如等離子體清洗、等離子體蝕刻等)集成在同一設(shè)備中,實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化生產(chǎn),提高生產(chǎn)效率。
4
技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):

  次世代晶圓工藝必須的 1 x 1016atoms/cm2以上離子注入剝離工藝、PI去除工藝中,可實(shí)現(xiàn)低顆粒工藝。

添加F系氣體工藝適合的腔體構(gòu)成,可對(duì)應(yīng)低顆粒需求。因此,從普通PR到離子注入剝離、有機(jī)膜剝離(PIDFR等)、氧化膜刻蝕等

非常廣泛的工藝均可對(duì)應(yīng)。

采用簡(jiǎn)單的設(shè)備構(gòu)成可同時(shí)實(shí)現(xiàn)維修性·信賴(lài)性"

有彈性的腔體構(gòu)成選擇(μ波、RIEμ波+RIE),可實(shí)現(xiàn)豐富的搬送路經(jīng)。

僅設(shè)定工藝菜單即可切換晶圓尺寸,晶圓尺寸容易實(shí)現(xiàn)。

道后端工藝的離子注入剝離工藝(1 x 1016atoms/cm2以上)PI除去

添加CF4工藝必要的晶圓工藝(電子部件?LED)

芯片封裝的BUMP工藝

CCD顏色過(guò)濾膜的制造工藝

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批量晶圓處理等離子系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì),其模塊化控制系統(tǒng)使用最新一代處理

去膠設(shè)備

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