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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

當(dāng)前位置:深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司>>半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備>>3 CVD>> CC-200/400Load-lock式Plasma CVD設(shè)備

Load-lock式Plasma CVD設(shè)備

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號CC-200/400

品牌ULVAC/日本愛發(fā)科

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地國外

更新時間:2025-06-05 14:41:21瀏覽次數(shù):489次

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產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價格區(qū)間 面議
應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
Load-lock式Plasma CVD設(shè)備 CC-200/400

Load-lock式Plasma CVD設(shè)備CC-200/400是小型的使用便利的可對應(yīng)從研究開發(fā)到量產(chǎn)的設(shè)備。

1 產(chǎn)品概述:

Load-lockPlasma CVD設(shè)備是一種集等離子體發(fā)生、薄膜沉積和Load-lock技術(shù)于一體的先進(jìn)設(shè)備。它通常包括反應(yīng)室、等離子體發(fā)生器、真空系統(tǒng)、加熱系統(tǒng)以及Load-lock腔室等關(guān)鍵部件。在設(shè)備運行過程中,通過Load-lock腔室實現(xiàn)樣品在真空環(huán)境和外界環(huán)境之間的快速切換,減少外界污染對樣品的影響,同時提高生產(chǎn)效率。

2 設(shè)備用途:

Load-lockPlasma CVD設(shè)備廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、材料科學(xué)、光學(xué)薄膜制備、太陽能電池生產(chǎn)等多個領(lǐng)域。其主要用途包括:

  1. 薄膜沉積:利用等離子體中的高能粒子促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),在基底表面沉積高質(zhì)量的薄膜材料,如氧化物、氮化物、碳化物等。

  2. 材料改性:通過等離子體處理改善材料的表面性能,如提高附著力、降低摩擦系數(shù)、增加耐腐蝕性等。

  3. 多層膜制備:結(jié)合其他工藝,如光刻、刻蝕等,制備具有復(fù)雜結(jié)構(gòu)和功能的多層膜材料。

3 設(shè)備特點

  高效性:等離子體中的高能粒子能顯著加速化學(xué)反應(yīng),提高薄膜的沉積速率和生產(chǎn)效率。

  高質(zhì)量:通過精確控制等離子體參數(shù)和工藝條件,可以制備出高質(zhì)量、高純度的薄膜材料。

  靈活性:適用于多種材料的薄膜制備,且可通過調(diào)整工藝參數(shù)實現(xiàn)薄膜性質(zhì)的精確調(diào)控。

  環(huán)保性:相比傳統(tǒng)化學(xué)沉積方法,等離子CVD設(shè)備在制備過程中不需要使用有害的化學(xué)試劑,減少了環(huán)境污染。

  Load-lock技術(shù):采用Load-lock腔室設(shè)計,實現(xiàn)了樣品在真空環(huán)境和外界環(huán)境之間的快速切換,減少了外界污染對樣品的影響,同時提高了生產(chǎn)效率。
4
技術(shù)參數(shù)和特點:

•27.12MHz高密度等離子制程

•SiH4系:SiO2SiNx、SiON、a-SiTEOS系:可對應(yīng)SiO2

CF4+O2 Plasma實現(xiàn)腔體清潔功能

可對應(yīng)有機(jī)ELOLED)的低溫成膜用heater

使用Tray可搬送多種基板尺寸

通過使用真空Box實現(xiàn)C系列的間接連續(xù)制程(Sputter: CS-200, Evaporation: CV-200


部件鍍膜設(shè)備

部件鍍膜設(shè)備實現(xiàn)高大量生產(chǎn)率的高真空基礎(chǔ)In-line Sputter

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