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當前位置：深圳市矢量科學儀器有限公司>>半導體前道工藝設備>>3 CVD>> AL-1無針孔薄膜沉積設備
| 參 考 價: | 面議 |
產(chǎn)品型號AL-1
品牌SAMCO
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所在地國外
更新時間：2025-06-05 13:21:55瀏覽次數(shù)：431次
聯(lián)系我時，請告知來自 化工儀器網(wǎng)1. 產(chǎn)品概述
AL-1通過交替向反應室提供有機金屬原料和氧化劑，僅利用表面反應沉積薄膜，實現(xiàn)了高膜厚控制和良好的步驟覆蓋率。薄膜的厚度可以控制在原子層的數(shù)量。此外，可以在高寬比的孔內(nèi)壁上沉積覆蓋性好、厚度均勻的薄膜。可同時沉積3片?4英寸的晶片。
2. 設備用途/原理
用于下一代功率器件的柵氧化膜和鈍化膜。在3D結構上形成均勻的薄膜，如MEMS。激光表面的沉積。碳納米管的鈍化膜。
3. 設備特點
成膜效率高，通過提供幾十毫量的脈沖，減少了原材料的損耗，提高了沉積效率。真空清潔，溫度不均勻性小，通過緊貼反應室內(nèi)壁的內(nèi)壁加熱器，抑制反應室的溫度不均勻，可獲得清潔的真空。無針孔成膜，由于多種驅體在反應室中沒有混合，因此可以防止顆粒，形成無針孔的薄膜。
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