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邁可諾技術(shù)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī) |
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邁可諾技術(shù)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī) |
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| 產(chǎn)品圖片 | 產(chǎn)品名稱 | |||
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mr-NIL212FC-100nm納米壓印光刻膠 mr-NIL212FC 系列 簡(jiǎn)單介紹：光刻膠mr-NIL212FC 系列——專為高精度軟紫外納米壓印設(shè)計(jì)的革命性解決方案 產(chǎn)品核心優(yōu)勢(shì)： 快速固化技術(shù)（FC）：專為 200 nm 以下微細(xì)結(jié)構(gòu) 優(yōu)化，即使低強(qiáng)度紫外光源（如 LED）也能實(shí)現(xiàn)高效固化，顯著提升生產(chǎn)效率。 Excellence刻蝕穩(wěn)定性：相比標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)（mr-NIL210），對(duì) SiO? 等難刻蝕基材 的兼容性更強(qiáng)，圖案轉(zhuǎn)移精度更高。 PDMS 印章最佳搭 產(chǎn)品型號(hào)：mr-NIL212FC-100nm 所在地：武漢市 更新時(shí)間：2025-07-02 |
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mr-NIL212FC德國(guó)納米壓印光刻膠 簡(jiǎn)單介紹：高分辨率：支持 ＜100 nm 結(jié)構(gòu)壓?。ㄈ鏼r-NIL212FC可實(shí)現(xiàn)200nm柱陣列）。 量產(chǎn)適配： UV-NIL：室溫低壓（＜100 mbar），適合大面積和連續(xù)生產(chǎn)（R2R）。 T-NIL：熱塑性/熱固性 可選，平衡效率與穩(wěn)定性。 工藝靈活性： 可搭配 LOR 光刻膠實(shí)現(xiàn)金屬納米結(jié)構(gòu)剝離（Lift-off）。 通過 SiPOL 硅含量樹脂實(shí)現(xiàn)圖案放大，用于深槽刻蝕。 產(chǎn)品型號(hào)：mr-NIL212FC 所在地：武漢市 更新時(shí)間：2025-07-02 |
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EtchantsTransene二氧化硅 (SiO?) 蝕刻液 光刻膠 簡(jiǎn)單介紹：Transene二氧化硅 (SiO?) 蝕刻液 光刻膠，高純度緩沖HF蝕刻劑，適用于熱生長(zhǎng)或沉積的二氧化硅薄膜。Transene二氧化硅蝕刻劑是半導(dǎo)體應(yīng)用的理想選擇，它能夠最小化蝕刻不足的情況，并具有廣泛的兼容性。緩沖氧化物蝕刻劑標(biāo)準(zhǔn)發(fā)貨時(shí)不含表面活性劑?？筛鶕?jù)要求添加非PFAS表面活性劑。 產(chǎn)品型號(hào)：Etchants 所在地：武漢市 更新時(shí)間：2025-07-02 |
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??TransistKemLab光刻膠 簡(jiǎn)單介紹：KemLab光刻膠 TRANSIST系列產(chǎn)品與大多數(shù)濕法蝕刻液具有出色的兼容性，為微電子應(yīng)用提供可靠、高分辨率的解決方案。TRANSIST提供正性和負(fù)性兩種工作方式的光敏抗蝕劑， 產(chǎn)品型號(hào)：??Transist 所在地：武漢市 更新時(shí)間：2025-07-02 |
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mr-NIL200-100nm納米壓印光刻膠 mr-NIL200 系列 簡(jiǎn)單介紹：納米壓印膠 mr-NIL200 系列——專為高精度圖案轉(zhuǎn)移設(shè)計(jì)的紫外光固化解決方案。自粘附配方，無需底涂，專為硬質(zhì)印章（石英/OrmoStamp®）設(shè)計(jì)。 產(chǎn)品型號(hào)：mr-NIL200-100nm 所在地：武漢市 更新時(shí)間：2025-07-02 |
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mr-NIL210-100nm納米壓印光刻膠mr-NIL210系列 簡(jiǎn)單介紹：mr-NIL210系列是一款專為軟紫外納米壓印技術(shù)（soft UV-NIL）設(shè)計(jì)的光固化納米壓印膠，特別適配于PDMS類軟質(zhì)印章材料（推薦使用Shin-Etsu的KER-4690 PDMS印章）。其高精度、易操作的特性，使其成為圖案轉(zhuǎn)移工藝中理想的蝕刻掩模材料。 產(chǎn)品型號(hào)：mr-NIL210-100nm 所在地：武漢市 更新時(shí)間：2025-07-02 |
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PKP-308PIKemLab負(fù)性光刻膠 簡(jiǎn)單介紹：美國(guó)KemLab負(fù)性光刻膠 PKP-308PI 具有改進(jìn)的分辨率、附著力、耐蝕刻性、低針孔密度，是負(fù)性光刻膠中綜合性能最佳的選擇。在使用過程中無需對(duì)光刻膠進(jìn)行膜過濾?？蓪?shí)現(xiàn)微米級(jí)別的分辨率，且在生產(chǎn)中光刻膠工藝能保持高度可重復(fù)性。 產(chǎn)品型號(hào)：PKP-308PI 所在地：武漢市 更新時(shí)間：2025-07-02 |
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HARE SQ美國(guó)KemLab負(fù)性光刻膠 簡(jiǎn)單介紹：美國(guó)KemLab負(fù)性光刻膠 HARE SOTM是一種基于環(huán)氧樹脂的負(fù)型光阻，專為聚合物MEMS、微流體、微機(jī)械加工以及其他微電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)。 產(chǎn)品型號(hào)：HARE SQ 所在地：武漢市 更新時(shí)間：2025-07-02 |
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KLT5300美國(guó)KemLab正性光刻膠 簡(jiǎn)單介紹：美國(guó)KemLab正性光刻膠 KLT 5300是一種專為i-Line、g-Line和寬帶應(yīng)用優(yōu)化的正型光阻。KLT 5300具有高靈敏度和高吞吐量，適用于集成電路制造。 產(chǎn)品型號(hào)：KLT5300 所在地：武漢市 更新時(shí)間：2025-07-02 |
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KLT 6000KemLab 正性光刻膠 簡(jiǎn)單介紹：KemLab 正性光刻膠 KLT 6000 ，適用于 i-Line、寬帶或 g-Line 曝光。 產(chǎn)品型號(hào)：KLT 6000 所在地：武漢市 更新時(shí)間：2025-07-02 |
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GM1010/GM1020/GM1075EM Resist SU-8負(fù)性抗蝕劑 簡(jiǎn)單介紹：EM Resist SU-8負(fù)性抗蝕劑產(chǎn)品，非常適合半導(dǎo)體應(yīng)用。我們的產(chǎn)品有各種形式和厚度范圍。 典型的SU-8過程包括以下步驟： 基板準(zhǔn)備 旋涂 松弛時(shí)間以提高表面均勻度 軟烤 曝光后烘烤 發(fā)展歷程 沖洗并干燥 可選硬烤 產(chǎn)品型號(hào)：GM1010/GM1020/GM1075 所在地：北京市 更新時(shí)間：2025-07-02 |
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納米壓印光刻膠 簡(jiǎn)單介紹：公司擁有齊全的納米系列壓印膠材料，熱壓型納米壓印膠、熱塑型納米壓印膠、紫外光固化型納米壓印膠、紫外光固化納米壓印和光刻兩用膠、舉離型傳遞層材料、刻蝕型傳遞層材料、各種與納米壓印技術(shù)相關(guān)的化學(xué)藥品，如模板防粘劑、基片增粘劑等。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：北京市 更新時(shí)間：2025-07-01 |
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2035/2050/2075/2100光刻膠SU-8 2000 簡(jiǎn)單介紹：SU-8 2000是一種高對(duì)比度，基于環(huán)氧的光致抗蝕劑，設(shè)計(jì)用于微加工和其他微電子應(yīng)用，需要厚，化學(xué)和熱穩(wěn)定的圖像。 SU-8 2000是SU-8的改進(jìn)配方，多年來已被MEMS生產(chǎn)商廣泛使用。使用更快干燥，極性更大的溶劑系統(tǒng)可改善涂層質(zhì)量并提高工藝產(chǎn)量。 SU-8 2000有十二種標(biāo)準(zhǔn)粘度。通過單道涂覆工藝可以實(shí)現(xiàn)0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和隨后熱交聯(lián)的部分不溶于液體顯影劑。 產(chǎn)品型號(hào)：2035/2050/2075/2100 所在地：北京市 更新時(shí)間：2025-07-01 |
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3010/3005/3025/3050SU-8 3000光刻膠 簡(jiǎn)單介紹：SU-8 3000是一種高對(duì)比度，基于環(huán)氧的光刻膠，專為微加工和其他微電子應(yīng)用中， 需要化學(xué)和熱穩(wěn)定的圖像。 SU-8 3000是SU-8和SU-8 2000的改進(jìn)配方，已被廣泛采用 由MEMS生產(chǎn)商使用多年。 SU-8 3000有配制用于改善附著力和降低涂層應(yīng)力。 SU-8 3000的粘度范圍允許膜厚為4至單層涂層厚度為120 µm。 產(chǎn)品型號(hào)：3010/3005/3025/3050 所在地：北京市 更新時(shí)間：2025-07-01 |
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2005/2010/2025光刻膠SU-8 2000 簡(jiǎn)單介紹：SU-8 2000是一種高對(duì)比度，基于環(huán)氧的光致抗蝕劑，設(shè)計(jì)用于微加工和其他微電子應(yīng)用，需要厚，化學(xué)和熱穩(wěn)定的圖像。 SU-8 2000是SU-8的改進(jìn)配方，多年來已被MEMS生產(chǎn)商廣泛使用。使用更快干燥，極性更大的溶劑系統(tǒng)可改善涂層質(zhì)量并提高工藝產(chǎn)量。 SU-8 2000有十二種標(biāo)準(zhǔn)粘度。通過單道涂覆工藝可以實(shí)現(xiàn)0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和隨后熱交聯(lián)的部分不溶于液體顯影劑。 產(chǎn)品型號(hào)：2005/2010/2025 所在地：北京市 更新時(shí)間：2025-07-01 |
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美國(guó)Futurrex光刻膠 簡(jiǎn)單介紹：Futurrex 成立于1985年，是美國(guó)光刻膠及輔助化學(xué)品制造商。產(chǎn)品以技術(shù)著稱，從2000年至今年均增長(zhǎng)率為33%。主要客戶有：Ti、半導(dǎo)體、HP、SHARP、3M、Universal Display、ETC、LG、Qualcomm （高通）等。Futurrex長(zhǎng)期與Intel實(shí)驗(yàn)室合作，產(chǎn)品被廣泛收錄進(jìn)美國(guó)各大學(xué)半導(dǎo)體教程，是各大研究機(jī)構(gòu)產(chǎn)品。 產(chǎn)品型號(hào)： 所在地：北京市 更新時(shí)間：2025-07-01 |
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PR3、PR41Futurrex去膠液 簡(jiǎn)單介紹：Futurrex 成立于1985年，是美國(guó)光刻膠及輔助化學(xué)品制造商。產(chǎn)品以技術(shù)著稱，從2000年至今年均增長(zhǎng)率為33%。主要客戶有：Ti、半導(dǎo)體、HP、SHARP、3M、Universal Display、ETC、LG、Qualcomm （高通）等。Futurrex長(zhǎng)期與Intel實(shí)驗(yàn)室合作，產(chǎn)品被廣泛收錄進(jìn)美國(guó)各大學(xué)半導(dǎo)體教程，是各大研究機(jī)構(gòu)產(chǎn)品。 產(chǎn)品型號(hào)：PR3、PR41 所在地：北京市 更新時(shí)間：2025-07-01 |
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RD3、RD6美國(guó)Futurrex顯影液 簡(jiǎn)單介紹：Futurrex 成立于1985年，是美國(guó)光刻膠及輔助化學(xué)品制造商。產(chǎn)品以技術(shù)著稱，從2000年至今年均增長(zhǎng)率為33%。主要客戶有：Ti、半導(dǎo)體、HP、SHARP、3M、Universal Display、ETC、LG、Qualcomm （高通）等。Futurrex長(zhǎng)期與Intel實(shí)驗(yàn)室合作，產(chǎn)品被廣泛收錄進(jìn)美國(guó)各大學(xué)半導(dǎo)體教程，是各大研究機(jī)構(gòu)產(chǎn)品。 產(chǎn)品型號(hào)：RD3、RD6 所在地：北京市 更新時(shí)間：2025-07-01 |
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mr-I 7000E、mr-I 8000E德國(guó)Micro Resist納米壓印膠 簡(jiǎn)單介紹：德國(guó)Micro Resist公司創(chuàng)立于1993年.公司生產(chǎn)的高性能各種用于微納制作的光刻膠，除了生產(chǎn)用于i、g和h線的光刻膠以外，還有電子束刻蝕膠和納米壓印膠以及專門用于光學(xué)波導(dǎo)制作的光膠可供選擇。 產(chǎn)品型號(hào)：mr-I 7000E、mr-I 8000E 所在地：北京市 更新時(shí)間：2025-07-01 |
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ma-N 2400、mr-EBLMicro Resist電子束及深紫外光刻膠 簡(jiǎn)單介紹：德國(guó)Micro Resist公司創(chuàng)立于1993年.公司生產(chǎn)的高性能各種用于微納制作的光刻膠，除了生產(chǎn)用于i、g和h線的光刻膠以外，還有電子束刻蝕膠和納米壓印膠以及專門用于光學(xué)波導(dǎo)制作的光膠可供選擇。 產(chǎn)品型號(hào)：ma-N 2400、mr-EBL 所在地：北京市 更新時(shí)間：2025-07-01 |
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