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邁可諾技術(shù)有限公司

主營產(chǎn)品: 美國Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī)

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公司信息

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鄧經(jīng)理
話:
4008800298
機(jī):
13681069478
真:
址:
洪山區(qū)珞獅南路147號未來城A棟
編:
化:
www.mycro.net.cn
網(wǎng)址:
www.mycro.cn
鋪:
http://www.cylcaiwu.com/st119375/
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HARE SQ美國KemLab負(fù)性光刻膠
美國KemLab負(fù)性光刻膠
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號 HARE SQ
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 武漢市

更新時間:2025-07-02 14:57:44瀏覽次數(shù):179

聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!

【簡單介紹】
供貨周期 一個月以上 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,能源,電氣
美國KemLab負(fù)性光刻膠 HARE SOTM是一種基于環(huán)氧樹脂的負(fù)型光阻,專為聚合物MEMS、微流體、微機(jī)械加工以及其他微電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
【詳細(xì)說明】

美國KemLab負(fù)性光刻膠 HARE SOTM 高深寬比環(huán)氧光刻膠

產(chǎn)品描述

HARE SQ™ 是一種基于環(huán)氧樹脂的負(fù)性光刻膠,專為聚合物 MEMS、微流控、微加工及其他微電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)。本系統(tǒng)適用于 2 至 100 微米的厚膜應(yīng)用,是光刻膠需保留在最終器件中的應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品優(yōu)勢

  • 采用潔凈度高、重現(xiàn)性優(yōu)異的環(huán)氧樹脂

  • 交聯(lián)后光刻膠表面能穩(wěn)定(對微流控應(yīng)用至關(guān)重要)

  • 兼容 SU-8 工藝

  • 負(fù)性(Negative)

  • 膜厚:單次旋涂可達(dá) 100μm

  • 感光度:寬帶光源/i-line

  • 顯影液:HARE SQ™ 專用顯影液

工藝指南表

美國KemLab負(fù)性光刻膠

HARE SQ™ 負(fù)性環(huán)氧光刻膠

基板準(zhǔn)備

HARE SQ™ 可附著于多種基板(包括硅、金、鋁、鉻、銅)。為獲得優(yōu)良附著力,基板在涂膠前需保持清潔干燥。

涂覆工藝

旋涂法:通過圖示轉(zhuǎn)速曲線控制膜厚。涂覆程序包含 5-10 秒鋪展階段,最終轉(zhuǎn)速持續(xù) 30 秒。

軟烘烤

推薦采用接觸式熱板進(jìn)行兩步烘烤,以減小膜應(yīng)力及附著力問題(詳見工藝指南表)。


美國KemLab負(fù)性光刻膠 HARE SOTM

曝光與光學(xué)參數(shù)

HARE SQ™ 適用于近紫外波段(300-400nm)曝光。曝光劑量因設(shè)備配置、膜厚及工藝條件而異。工藝指南表提供采用 360nm 截止濾光片的寬帶曝光基準(zhǔn)劑量。

美國KemLab負(fù)性光刻膠

曝光后烘烤(PEB)

PEB 時間需根據(jù)膜厚調(diào)整以保證充分交聯(lián)。推薦兩步烘烤法降低膜應(yīng)力,避免開裂/脫附(詳見工藝指南表)。

顯影

需使用 KemLab 專用顯影液,支持浸沒、噴淋或噴淋-浸沒組合模式。厚膜顯影建議更新顯影液(如雙噴淋法)。顯影后用異丙醇(IPA)沖洗基板并干燥(詳見工藝指南表)。

硬烘烤

應(yīng)用:>120℃熱板烘烤 ≥5 分鐘可修復(fù)應(yīng)力裂紋。
結(jié)構(gòu)體:>150℃烘箱烘烤可增強(qiáng)交聯(lián)且應(yīng)力增加最小。


存儲條件

避光保存于 4-21℃ 密閉容器。遠(yuǎn)離氧化劑、酸、堿及火源。

操作與廢棄

安全警示:含可燃液體!遠(yuǎn)離熱源/明火。操作請參考 SDS 文件并佩戴防護(hù)裝備。
廢棄處理:兼容標(biāo)準(zhǔn)光刻膠廢液流,需按當(dāng)?shù)胤ㄒ?guī)處置。



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