1. 產(chǎn)品概述

Canon FPA5000 ES3掃描式光刻機(jī)，主要用于6寸、8寸及12寸生產(chǎn)線，廣泛應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體、MEMS、LED等域。

2. 設(shè)備特點(diǎn)

投影放大倍率：1/4 X，曝光光：（248nm DUV）。數(shù)值孔徑：（0.73~0.60，以 0.01 為增量），視場(chǎng)尺寸：26x33mm。曝光光：DUV（深紫外線）。強(qiáng)度： 低 17,000 w/m2。均勻度：+/- 1.0%。遮蔽刀片精度：最大 +/- 80 μm。

分辨率：<0.13μm 或更小。焦深：最小 R 0.6μm，圖像表面寬度：R 0.12μm 或更高，畸變度：<± 10μm。對(duì)焦/調(diào)平性能：聚焦重復(fù)性：<60nm （3sigma），調(diào)平重復(fù)性：<4ppm （3sigma），最小補(bǔ)償范圍：>100ppm。步長精度：17nm （3sigma），縮放比例：<±0.5ppm，正交度：<±0.5ppm。標(biāo)線旋轉(zhuǎn)精度：<±0.3ppm。晶圓對(duì)準(zhǔn)：<0.025μm 平均值 + 3sigma。光罩旋轉(zhuǎn)重復(fù)性：<R0.7ppm。標(biāo)準(zhǔn)尺寸：6 英寸方形 t=0.25 英寸（Patticle 檢查器）。材質(zhì)： 石英。圖案材料：2 層 CR、3 層 CR。薄膜框架：僅圖案?jìng)?cè)支架 = 6.3mm。光罩顆粒檢查器規(guī)格：檢測(cè)分辨率：圖案表面：>0.6μm。玻璃表面：>15μm，表層表面：>20μm，檢測(cè)重復(fù)性： >95%，晶圓尺寸：標(biāo)準(zhǔn) 8 英寸（8 英寸至 12 英寸 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)，JEIDA，缺口/平面，可選），吞吐量：125wph （30 shot）22mm （ 8“ 晶圓），吞吐量：73wph （64shot）22mm （ 12“ 晶圓），環(huán)境室規(guī)格：清潔度：1級(jí)（>0.1μm），控溫精度：+/- 0.1*C 以內(nèi)。腔室類型：CD140，空調(diào)：BCU-900，制冷劑：P3419481YH，調(diào)節(jié)劑：SC-216440。

佳能開發(fā)了一系列半導(dǎo)體光刻設(shè)備，旨在滿足除傳統(tǒng)半導(dǎo)體晶圓加工之外的廣泛應(yīng)用的技術(shù)要求。

半導(dǎo)體芯片（也稱為集成電路，Integrated Circuit, IC）生產(chǎn)主要分為 IC 設(shè)計(jì)、 IC 制造、 IC 封測(cè)三大環(huán)節(jié)。 IC 設(shè)計(jì)主要根據(jù)芯片的設(shè)計(jì)目的進(jìn)行邏輯設(shè)計(jì)和規(guī)則制定，并根據(jù)設(shè)計(jì)圖制作掩模以供后續(xù)光刻步驟使用。 IC 制造實(shí)現(xiàn)芯片電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，并實(shí)現(xiàn)目標(biāo)芯片功能，包括化學(xué)機(jī)械研磨、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入等步驟。 IC 封測(cè)完成對(duì)芯片的封裝和性能、功能測(cè)試，是產(chǎn)品交付前的最后工序。