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深圳市矢量科學儀器有限公司

當前位置:深圳市矢量科學儀器有限公司>>半導體前道工藝設(shè)備>>2 PVD>> customized脈沖激光沉積鍍膜機PLD

脈沖激光沉積鍍膜機PLD

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號customized

品牌PVD

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地國外

更新時間:2025-06-05 09:59:43瀏覽次數(shù):1526次

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產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 面議
應用領(lǐng)域 生物產(chǎn)業(yè),能源,電子/電池,制藥/生物制藥,綜合
脈沖激光沉積鍍膜機PLD系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。

1. 產(chǎn)品概述

脈沖激光沉積鍍膜機PLD 系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。

2. 設(shè)備用途

脈沖激光沉積鍍膜機PLD 是一種利用激光高能量脈沖輻射沖擊固體靶時,激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用,亦包括等離子羽狀物的形成,其后已熔化的物質(zhì)通過等離子羽狀物到達已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移,及最后物質(zhì)沉淀在不同的襯底上,得到沉淀或者薄膜的一種手段。PLD非常適合生長多元氧化物的多層膜和異質(zhì)膜,輕松實現(xiàn)對化學成分較復雜的復合物材料進行材料生長。在生長過程中還可以實現(xiàn)引入活性或惰性及混合氣等工藝氣體,以提高薄膜生長品質(zhì)。

3. 技術(shù)參數(shù)

基片尺寸:8inch(可向下兼容)

加熱溫度:1000℃   加熱方式:輻射加熱

靶材:3*4"

真空度:5*10-7Pa

氣路系統(tǒng):氧氣、氮氣、氬氣

模塊:PLD+進樣室

激光窗口:配有閘板閥

光路系統(tǒng):激光掃描功能

4. 企業(yè)簡介

深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術(shù)服務的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導體制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設(shè)備、半導體光電測試儀表及相關(guān)儀器裝備維護、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實驗室整體服務。

公司已授實用新型權(quán)利 29 項,軟件著作權(quán) 14 項,是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。




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