一、產(chǎn)品概述：

掃描電鏡（Scanning Electron Microscope, SEM）是一種高分辨率的顯微鏡，利用電子束掃描樣品表面以獲取其形貌和組成的信息。SEM能夠提供詳細(xì)的三維表面圖像，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子工程、生物學(xué)和地質(zhì)學(xué)等領(lǐng)域。

二、設(shè)備用途/原理：

·設(shè)備用途

EM主要用于材料表面的形貌分析、微觀結(jié)構(gòu)觀察和成分分析。它在半導(dǎo)體器件的缺陷檢測、金屬和合金的微觀結(jié)構(gòu)研究、以及生物樣品的形態(tài)觀察中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。SEM還常用于材料的質(zhì)量控制和研發(fā)過程中的性能評(píng)估。

·工作原理

SEM的工作原理是將高能電子束聚焦到樣品表面，電子束與樣品相互作用產(chǎn)生二次電子、反射電子和特征X射線等信號(hào)。通過收集這些信號(hào)，SEM能夠生成樣品表面的高分辨率圖像。電子束的掃描可通過計(jì)算機(jī)控制，實(shí)現(xiàn)多角度觀察和深度信息提取。由于其高分辨率和大景深特性，SEM能夠提供豐富的樣品表面信息，助力多領(lǐng)域的研究和應(yīng)用。

三、主要技術(shù)指標(biāo)：

1. FE-SEM獲得的圖像分辨率高，信息豐富，樣品處理相對(duì)簡單，并且它可以觀察、測量并分析樣品的細(xì)微結(jié)構(gòu)，因此被廣泛應(yīng)用于納米技術(shù) 、半導(dǎo)體、電子器件、生命科學(xué)、材料等域

2. 電子槍種類：冷場發(fā)射

3. 二次電子圖象分辨率：0.6 nm@15kV；0.7nm@1kV

4. 放大倍數(shù)：20-2,000,000x

5. 加速電壓：0.5-30kV