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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司

電子束光刻系統(tǒng)

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號eLINE Plus

品牌Raith

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地深圳市

更新時間:2024-09-06 14:43:42瀏覽次數(shù):1380次

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電子束光刻系統(tǒng) 技術(shù)參數(shù):
1.最小線寬≤8nm 光柵周期≤40nm
2.50KV加速電壓下,寫場可在0.5μm~500μm的范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)
3.肖特基熱場發(fā)射電子束源,最高加速電壓≥50kv,束電流范圍至少為50pA~40nA,最大束電流≥40nA

1.產(chǎn)品概述:

eLINE Plus -專為多種原位納米加工技術(shù)的最寬帶寬應(yīng)用而設(shè)計,超越了經(jīng)典的電子束光刻(EBL)。

2.產(chǎn)品優(yōu)勢:

世界上專業(yè)EBL系統(tǒng)中最小的波束尺寸(< 1.6 nm)

EBL抗蝕劑的線寬小于5nm

使用電子束誘導(dǎo)沉積(EBID)技術(shù)演示了亞7納米線

新的eLINE Plus被設(shè)計的多重技術(shù)納米光刻系統(tǒng),用于所有科學(xué)學(xué)科的廣泛應(yīng)用

ELINEPlus公司的先進光刻基礎(chǔ)設(shè)施使超高分辨率和大面積納米制造成為可能,并統(tǒng)一了電子束光刻、納米工程和超高分辨率成像的世界。

專業(yè)和無損的EBL:保證系統(tǒng)規(guī)格和小的光束尺寸與全球應(yīng)用支持基礎(chǔ)設(shè)施相結(jié)合,使eLINE Plus成為努力有效地建立納米制造新前沿的學(xué)術(shù)機構(gòu)的理想解決方案。

3. 產(chǎn)品參數(shù):

最小線寬≤8nm    光柵周期≤40nm

50KV加速電壓下,寫場可在0.5μm~500μm的范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)

肖特基熱場發(fā)射電子束源,最高加速電壓≥50kv,束電流范圍至少為50pA~40nA,最大束電流≥40nA

圖像發(fā)生器掃描頻率≥50MHz,20bit分辨率,最小步距為0.5nm

通用樣品架可承載散片,4inch以下的襯底,4inch專用晶圓專用樣品架,6inch專用晶圓專用樣品架,多樣品專用樣品架

拼接精度:

100μm寫場下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm寫場下,拼接精度≤30nm【mean】+3sigma

套刻精度:

100μm寫場下,拼接精度≤20nm【mean】+3sigma

500μm寫場下,拼接精度≤25nm【mean】+3sigma

束電流穩(wěn)定性<0.2%/h   束位置穩(wěn)定性<120nm/8h



有掩膜光刻機

1.手動、半自動、全自動有掩膜光刻機$r$n2.高分辨率掩模對準光刻,

無掩膜/激光直寫光刻機

無掩膜/激光直寫光刻機 參數(shù):1. 光源:375 nm、385 nm、

電子束光刻系統(tǒng)

電子束光刻系統(tǒng) 技術(shù)參數(shù):$r$n1.最小線寬≤8nm 光柵周期

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