供应
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二硫化钼晶体(合成/2H) 详细摘要:Single crystal highly oriented -synthetic- molybdenum disulfide (2H-MoS?) comes in bulk.
所在地:江苏泰州市 更新时间:2025-03-30 在线留言 -
三硫化铌晶体(百分之99.995) NbS3 详细摘要:三硫化铌晶体(99.995%) NbS3
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晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%
低维材料层状过渡金属化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2 -
硫盐矿物晶体(百分之99.995) 详细摘要:硫盐矿物晶体 Pb3Sn4FeSb2S14(Lead Tin Ferrum Antimony Sulfide)
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晶体结构:六边形
类型:合成
尺寸:~8mm
纯度:>99.995%
属性:超导体 -
二硫化钼铼晶体 MoReS? 详细摘要:Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.
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2D Semiconductor-氮掺杂石墨烯 详细摘要:Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliation. Nitrogen doping is fixed at 1.5-2% and the lateral sizes of the flakes can reach more than 50 microns. As shown in th
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2D Semiconductor-Graphene Fluoride 氟化石墨烯 详细摘要:Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is 1:1 and the particle size ranges from 1-15 microns.
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2D Semiconductor-GO 氧化石墨烯 (Graphene Oxide) 详细摘要:Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique. Growth technique emphasizes on minimizing the defect density to yi
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2D Semiconductor-Carboxyl Graphene 羧基石墨烯 详细摘要:Carboxyl (-COOH) functionalized graphene has been developed at our facilities. Can be deposited on various substrates either by conventional mechanical exfoliation or spin coating in the solution form
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二硫化铅锡晶体(百分之99.995) PbSnS2 详细摘要:二硫化铅锡晶体 PbSnS2(Lead Tin Disulfide)
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晶体结构:六边形
类型:天然晶体
尺寸:~8mm
纯度:>99.995%
属性:半导体 -
2D Semiconductor-氮掺杂石墨烯 Nitrogen 详细摘要:Nitrogen doped graphene has been created at our facilities. Ideal for exfoliation. Nitrogen doping is fixed at 1.5-2% and the lateral sizes of the flakes can reach more than 50 microns.
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2D Semiconductor-氟化石墨烯 详细摘要:Graphene fluoride has been developed our facilities. Carbon to Fluoride ratio is 1:1 and the particle size ranges from 1-15 microns. Electrical resistivity is 1E11-1E12 Ohm.cm.
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二硫化钼晶体(天然/百分之99)MoS2 详细摘要:二硫化钼晶体(天然) MoS2(Molybdenum Disulfide)
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晶体结构:六边形
类型:天然晶体
尺寸:~10mm-20mm
纯度:>99%
属性:半导体 -
2D Semiconductor-氧化石墨烯(美国) 详细摘要:Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D facilities using modified reaction Hummer technique.
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2D Semiconductor-羧基石墨烯 详细摘要:Carboxyl (-COOH) functionalized graphene has been developed at our facilities. Can be deposited on various substrates either by conventional mechanical exfoliation or spin coating in the solution form
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ACSMaterial-羧基化石墨烯 详细摘要:羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene
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直径:1~5um
厚度:0.8~1.2nm
羧基比例:5%
纯度:99% -
ACSMaterial-工业级石墨烯(10g) 详细摘要:工业级石墨烯 Industrial-Quality Graphene
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制备方法:热剥离还原
厚度(nm):≤3
BET比表面积(平方米/克):~ 600
电阻率(Ω?cm):0.30 -
TiSe2 二硒化钛晶体 (Titanium Diselenide) 详细摘要:Our TiSe2 crystals are stabilized in 2H-phase (CDW metallic phase).
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TaSe2 二硒化钽晶体 (Tantalum Diselenide) 详细摘要:Environmentally stable 2H-TaSe2 crystals have been synthesized at our facilities through flux zone method or chemical vapor transport (CVT) technique.
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ZrSe3 三硒化锆晶体 详细摘要:Zirconium triselenide belongs to the group-IV transition metal trichalcogenides.
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Sb2Se3 硒化锑晶体 (Antimony selenide) 详细摘要:Antimony triselenide is the chemical compound with the formula Sb2Se3 which crystallizes in an orthorhombic space group.
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