碳化硅器件動態(tài)參數測試臺

功能及主要參數：
　　適用碳化硅二極管、IGBT模塊MOS管等器件的時間參數測試。
　　主要技術參數：
　　IGBT開關特性測試
　　開關時間測試條件
　　Ic：50A～1000A     Vce：200V～2000V
　　Vgs：-10V～＋20V  Rg：1R～100R可調(可選擇4檔及外接)
　　負　　載：感性負載阻性負載可切換
　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
　　電阻范圍：0.5R、1R、2R、4R
　　IGBT開關特性測試參數
　　開通延遲td(on): 20nS -10uS     
　　上升時間tr:    20nS -10uS
　　開通能量Eon：  0.1-1000mJ                
　　關斷延遲時間td(off)：20 nS -10uS  
　　下降時間 tf： 20nS -10uS                   
　　關斷能量Eoff：0.1-1000mJ
　　二極管反向恢復特性測試
　　FRD測試條件：正向電流IF：50A～1000A；反向電壓 Vr：200V~2000V；-di/dt：100A/us～10000A/us ；負載：感性負載可選
　　電感范圍：100uH，200uH，500uH，1000uH
　　FRD測試參數
　　反向恢復時間trr：20nS -2uS
　　反向恢復電荷Qc：10nC~10uC；
　　反向恢復電流Irm：50A~1000A
　　反向恢復損耗Erec：0.1mJ～1000mJ

碳化硅器件動態(tài)參數測試臺

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