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半導體分立器件測試儀系統單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

IGBT靜態(tài)參數測試系統單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

多功能分立器件測試系統 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

功率器件流水線全靜態(tài)參數自動測試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

分立器件測試儀系統 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

IGBT靜態(tài)參數測試儀設備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

半導體分立器件光耦適配器測試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

晶體管直流參數測試儀設備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

功率電子器件正向壽命試驗系統 測試一個器件周期為80ms，依次測試完成22個器件后結束測試，之后自動切換到下一個設定電流下測試，直到測試完成。

碳化硅器件浪涌電流測試設備 主要是實現測試碳化硅器件在開通瞬間產生最大承受電流Ipp及在關斷瞬間產生最大沖擊電流IC的實驗。

高壓反偏設備 在設定電壓（反偏電壓一直加）下對22個器件的漏電流依次進行測試 在設定電壓（反偏電壓一直加）下對22個器件的漏電流依次進行測試

雪崩測試儀（電壓耐量測試設備） 設備滿足電壓在5000V及以下范圍內二極管、三極管、MOS管及IGBT等器件的測試需求。計算機系統控制，具有波形顯示功能。

特大功率碳化硅器件測試儀系統 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

分立器件測試系統 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

功率器件流水線全靜態(tài)參數測試系統 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

SiC雪崩能力測試儀 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

功率器件流水線自動動化測試系統 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

電流耐量測試設備 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

SiC 功率器件動態(tài)參數測試系統 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。

半導體分立器件測試系統 單管及模塊、整流橋、可控硅、光耦、PIM及IPM模塊等九大類半導體分立器件全靜態(tài)參數測試。