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AT-400原子层沉积

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更新时间：2025-06-06 21:00:06

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AT-400原子层沉积厂家提供详细的技术,规格信息。

　　AT-400原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，AT-400原子层沉积是一种真正的“纳米”技术，以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。

　　主要规格及技术指标：

　　1. 具有4路前驱体源。

　　2. 样品基底zui大直径4英寸。

　　3. zui大沉积温度不高于300℃。

　　4. 使用氮气做载气，控制载气流量10-1000 SCCM。

　　系统主要用于实验室级的薄膜制备，特别是致力于有机发光显示（OLED）的封装和场效应晶体管（FET）的介质层的层积。

　　技术具有结合强度好、逐层沉积、膜层厚度*、成分均匀性好等许多优点,是一种*进的纳米表面处理技术,具有广阔的应用前景。但是,作为一项涉及多学科领域的新技术,有许多因素会影响沉积膜层的质量和生产效率,如前驱体材料、形核长大机制、薄膜结构、沉积速率、设备条件等等,其中,前驱体是工艺的基础。

　　是一种*进的薄膜沉积技术。利用ald的技术特点和优势，可设计合成新型高效纳米催化剂，并可精确地调控催化剂的表界面结构。利用ald技术设计制备出一种多重限域的ni基加氢催化剂。与未限域的催化剂相比，多重限域的ni基催化剂对于肉桂醛以及硝基苯的加氢催化反应的活性、稳定性得到显著的提高。

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