產(chǎn)品詳情
4200A - SCS 參數(shù)分析儀主機(jī)：
測量功能：可同步進(jìn)行 I - V、C - V 和超快脈沖 I - V 測量，能表征 MOSFET 的柵氧化層厚度、氧化層缺陷密度、摻雜分布等參數(shù)。
SMU 模塊特性：提供 ±210V/100mA 或 ±210V/1A 模塊可選，測量分辨率可達(dá) 100fA，選配前端放大器后可至 10aA，支持 10mHz 至 10Hz 的超低頻率電容測量，具備四象限操作能力，可進(jìn)行 2 線或 4 線連接。
軟件功能：配備 Clarius™軟件，具有圖形化用戶界面，提供超 450 種可修改的應(yīng)用測試、項(xiàng)目和器件，可實(shí)現(xiàn)自動實(shí)時(shí)參數(shù)提取、數(shù)據(jù)繪圖和分析功能。
接口與顯示：配備 USB 3.0 和 2.0 端口，可連接鍵盤、鼠標(biāo)和閃存驅(qū)動器等。搭載 15.6 英寸觸摸屏（1920×1080）HD 顯示屏，操作直觀便捷。
8101 - PIV 超快脈沖 I - V 測量模塊：
通道特性：具有兩個(gè)獨(dú)立或同步的高速脈沖 I - V 源和測量通道。
脈沖參數(shù)：采樣率為 200MSa/s，時(shí)間分辨率為 5ns，脈沖電壓范圍為 ±40V（80Vp - p），脈沖電流為 ±800mA，具備瞬態(tài)波形捕獲模式，可生成可編程分辨率為 10ns 的多級脈沖波形。
4200SMU 源測量單元模塊：
功能：兼具電壓源、電流源、電流表和電壓表功能，可源出或吸收功率，實(shí)現(xiàn)高精度的 I - V 測量。
參數(shù)：電壓范圍可達(dá) ±210V，電流范圍根據(jù)模塊不同可為 100mA（中功率模塊）或 1A（高功率模塊），分辨率可達(dá) 100fA，配合前置放大器可至 10aA。
4200TM 測試夾具：
功能：用于連接被測器件與系統(tǒng)，為被測器件提供穩(wěn)定的機(jī)械固定和電氣連接，確保測試過程中接觸良好、噪聲干擾小4。
特點(diǎn)：通常采用低噪聲、高絕緣材料設(shè)計(jì)，支持 4 線測量，可消除引線電阻誤差，部分型號可兼容探針臺接口，適用于晶圓級測試，也可能帶有溫度控制功能，滿足不同測試環(huán)境需求。
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