一、产品概述

全自动Mask掩膜板清洗机是半导体光刻工艺中用于清洁光罩（Reticle/Mask）表面的核心设备，主要去除光刻胶残留、颗粒污染、金属有机物沉积及蚀刻副产物。其技术覆盖湿法化学清洗、兆声波振荡、等离子体处理和超临界干燥，确保掩膜板图案的完整性与光刻精度。该设备适用于EUV（极紫外光刻）、ArF（氟化氩光刻）及传统光刻工艺，支持6寸至30寸掩膜板的全自动化清洗需求。

二、核心技术与工艺

湿法化学清洗

试剂组合：采用SC-1（NH?OH/H?O?去有机物）、SC-2（HCl/H?O?去金属）、DHF（稀释氢氟酸去氧化层）等配方，结合喷淋与浸泡技术，溶解污染物。

兆声波辅助：MHz级高频声波产生空化效应，剥离＜0.1μm的微小颗粒，避免机械接触损伤图案。

等离子体处理

干法去胶：O?/CF?等离子体灰化光刻胶残留，无液体残留风险，适用于复杂图形区域。

表面活化：通过等离子体增强掩膜板表面润湿性，提升后续工艺附着力。

超临界CO?干燥

替代传统IPA（异丙醇）干燥，利用超临界CO?的低表面张力实现无水渍、无残留干燥，避免图案变形或腐蚀。

智能监控与反馈

颗粒检测：集成液态颗粒计数器（≥0.1μm灵敏度）与激光散射仪，实时监测清洗液洁净度。

AI参数优化：基于机器学习分析污染类型（金属/颗粒/有机物），动态调整清洗时间、温度及化学浓度。

三、设备结构与性能优势

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预处理?？椋喝ダ胱铀こ逑?兆声波粗洗，去除大颗粒。

主清洗?？椋憾嗖哿ɑР?喷淋槽+兆声波槽），支持多步工艺组合。

干燥?？椋撼俳鏑O?干燥腔+真空热风，控制表面应力＜5MPa。

核心性能指标

洁净度：颗粒残留＜5颗/cm2（≥0.1μm），金属污染＜0.1ppb（Fe/Cu）。

兼容性：适应低k材料、高深宽比结构（如3D NAND掩膜）。

产能：单次清洗周期＜30分钟（视工艺复杂度），支持24小时连续运行。

自动化与安全性

无人化操作：机械臂自动上下料，RFID识别掩膜板型号与工艺参数。

废液处理：闭环回收系统，中和后排放，符合环保法规（如RoHS、REACH）。

四、应用场景与行业价值

核心场景

EUV掩膜清洁：去除＜10nm颗粒，保障极紫外光刻的图案保真度。

ArF掩膜维护：清除光刻胶残留，提升28nm以下制程的良率。

封装：TSV（硅通孔）掩膜清洗，支持3D封装高精度对位。

行业痛点解决

缺陷控制：减少光刻胶残渣导致的短路或蚀刻偏差。

成本优化：自动化降低人工干预风险，延长掩膜板使用寿命（从500次提升至1000次）。

技术迭代：兼容HAMR（热辅助磁记录）、GAA（环绕式栅极）等新兴制程需求。