場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡工作環(huán)境：

1電壓：100-240V（-6%，+10%）

2工作溫度：20±3 ℃

3 相對(duì)濕度：< 80%

4 震動(dòng)和磁場(chǎng)需由廠家裝機(jī)前測(cè)試并給出報(bào)告

 主要技術(shù)性能指標(biāo)：

1       電子光學(xué)：

1.1   發(fā)射源：高分辨肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍。

1.2   加速電壓：200V – 30kV。

1.3 放大倍數(shù)：6× - 2,500,000×。

1.4 電鏡內(nèi)設(shè)計(jì)有壓差真空系統(tǒng)，保護(hù)低真空/環(huán)境真空下電子槍，延長(zhǎng)壽命。

1.5 大的電子束束流：1pA -200nA 連續(xù)可調(diào)，保證能譜高效工作。

2       真空系統(tǒng)

2.1   1個(gè)250 l/s分子渦輪泵+1個(gè)機(jī)械泵+2個(gè)離子泵

2.2 集成的離子泵備用電池（用于意外斷電保護(hù)）

2.2   高真空模式：＜6×10^-4 Pa （測(cè)試導(dǎo)電樣品或噴金處理樣品）

2.3 低真空模式：10 – 200 Pa （直接測(cè)試不導(dǎo)電樣品）

2.4 環(huán)境真空模式：10 – 4000 Pa （測(cè)試含水分樣品）

2.5 高真空模式下的換樣時(shí)間：≤3.5min

2.6 環(huán)境真空模式下的換樣時(shí)間：≤4.5min

3       分辨率

場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡獨(dú)立的高真空探測(cè)器，分辨率指標(biāo)

3.1   高真空分辨率30 kV下1.0 nm (二次電子)

3.2 高真空分辨率30 kV下2.5 nm (背散射電子)

3.3 高真空分辨率1 kV下3.0 nm (二次電子)

獨(dú)立的低真空探測(cè)器

3.4 低真空分辨率30 kV下1.3 nm (二次電子)

3.5 低真空分辨率30 kV下2.5 nm (背散射電子)

3.6 低真空分辨率3 kV下3.0 nm (背散射電子)

獨(dú)立環(huán)境真空探測(cè)器

3.7環(huán)境真空分辨率30 kV下1.3 nm (二次電子)

4       樣品室

4.1 樣品室內(nèi)寬：340mm

4.2 分析工作距離：10 mm

4.3   樣品室紅外CCD相機(jī)：1個(gè)

4.4   多可升級(jí)12個(gè)探測(cè)器或附件接口      

5       樣品臺(tái)

5.1   樣品臺(tái)類型：五軸全自動(dòng)U中心對(duì)中樣品臺(tái)，同時(shí)保留五軸手動(dòng)功能

5.2 行程：X：110 mm，Y：110 mm ，Z：65 mm，

5.4 旋轉(zhuǎn)R=n×360^o，傾斜T=-15^o/+90^o

5.3 多功能樣品臺(tái)，存放標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái) (?12 mm)平面18個(gè)，斜面3個(gè)，同時(shí)提供2個(gè)斷面夾具

5.4 樣品大安全高度≥85mm

6      圖象處理及系統(tǒng)控制……

7      循環(huán)冷卻系統(tǒng)……