迄今汞膜電極仍被廣泛地應用在負電位區(qū)間的電位窗寬，可與許多金屬生成汞齊等用于環(huán)境樣品中定量檢測痕量、超痕量重金屬離子及有電氧化還原特性的生化物質．

玻碳汞膜電極( GC /MFE) 或金屬汞膜電極表面上的汞常由于不同的分布狀態(tài)，膜上負載的汞量會隨著測定次數(shù)增加而損耗，影響測定數(shù)據(jù)的重復性和分析結果的重現(xiàn)性．

嘗試以不同的方法改進汞膜的組裝，構建化學修飾型復合汞膜電極并用于痕量重金屬的溶出法測定，以多核氰橋無機導電聚合物為內膜修飾層的復合汞膜電極是有效的手段之一．

無機多核過渡金屬氰橋化合物的類普魯士藍( PB) 材料以其包含［Fe( CN)6］3 － /［Fe( CN)6］4 － 優(yōu)良電子傳遞能力的氧化還原電子對，同時有類似于有機聚合物的三維網狀結構、化學穩(wěn)定性好、制備簡單和成本低的特點．擬以玻璃碳基電極( GC) 為基底，分別制備鑭離子和鈷離子摻雜類普魯士藍修飾的復合汞膜電極，并與直接在基底表面鍍汞膜( GC/MFE) 對比，期能篩選出穩(wěn)定性、靈敏度以及抗有機共存物污染能力得到明顯改善，可應用于微量Pb2 + 測定的新型復合汞膜電極。