一、测试环境参数

1. 测试温度范围

• 中高温测试：125-175℃（消费电子、工业控制）；

• 高温可靠性测试：175-250℃（汽车电子、航天）。

• 基础范围：通常覆盖 -55℃（低温辅助）至 + 250℃，特殊场景（如汽车发动机舱、航空电子）需扩展至 +300℃甚至 + 400℃（如 SiC 功率器件）。

• 典型分区：

2. 温度控制精度与均匀性

• 控制精度：≤±1℃（基础测试），可靠性测试需 ±0.5℃（避免温度波动导致参数漂移误判）。

• 温区均匀性：测试腔内任意两点温差 ≤2℃（针对多样品并行测试，确保样品受力一致），采用热风循环或红外加热实现均匀控温。

3. 升温 / 降温速率

• 升温速率：5-10℃/min（常规测试），快速热冲击测试可达 20℃/min（模拟温度变化）。

• 降温速率：3-5℃/min（自然冷却）或强制风冷 / 水冷（10℃/min），需避免速率过快导致器件热应力开裂（尤其陶瓷封装器件）。

4. 环境氛围

• 大气环境：默认空气氛围（适用于非敏感器件）；

• 惰性气体?；ぃ憾砸籽趸骷ㄈ?GaN、SiC），需通入氮气（纯度≥99.999%）或氩气，氧含量控制在 ≤10ppm，防止高温下金属电极氧化。

• 湿度控制：部分测试（如高温高湿偏压测试）需控制湿度 30-90% RH（配合温度 85-150℃，模拟湿热环境）。

二、电性能测试参数

1. 电参数测量范围与精度

• 电压：测试范围 0-1000V（覆盖芯片工作电压 VDD 至击穿电压 BV），精度 ±0.1%FS（满量程），分辨率≤1mV（适用于低电压器件如 MCU）。

• 电流：测试范围 1nA-100A（涵盖漏电流至工作电流），精度 ±0.5%FS，分辨率≤1pA（关键参数如 MOSFET 的栅极漏电流 Igss）。

• 频率：针对高频器件（如射频芯片），测试频率覆盖 1kHz-10GHz，精度 ±0.1%（避免高温对寄生参数的影响误判）。

2. 测试参数类型
   根据器件类型定制监测参数：

• 晶体管（MOSFET/BJT）：阈值电压 Vth、导通电阻 Rds (on)、击穿电压 BVdss、漏电流 Idss；

• 芯片（MCU/IC）：静态电流 Iddq、动态功耗、时序延迟、逻辑功能（高温下是否出现逻辑翻转）；

• 传感器：灵敏度、线性度、零点漂移（如高温压力传感器的输出偏差）。

3. 偏置条件

• 施加电压 / 电流：通常为器件额定值的 80%-120%（模拟重载或极限工作状态），如 VDD=3.3V 的芯片，高温偏置可能设为 3.6V（110% 额定值）。

• 偏置方式：直流偏置（静态测试）或脉冲偏置（动态测试，避免偏置功耗导致器件自热，干扰环境温度）。