DRAM 是一种使用半导体元件的易失性存储设备（存储器）。

动态随机存取存储器的缩写，主要安装在计算机中。由于内部电路具有非常简单的结构，具有用于存储电荷的电容器和FET（场效应晶体管），因此由于FET半导体工艺的小型化，其具有低存储容量单元的特点，因此适合大规模集成。与其他存储介质相比的价格。

DRAM的使用

DRAM 的主要用途是在计算机中。存储器部分采用电容器和FET（场效应晶体管），结构简单，存储器容量的单价较低，适合用于需要廉价、大容量存储器的计算机和工业机械控制设备。正在

由于DRAM的结构是利用电容器累积的电荷来存储信息，因此它会消耗大量电力，因为它不断执行刷新操作来写入和读取信息以保持电荷，因此很少在小型设备中使用例如智能手机和移动终端。

内存原理

DRAM背后的原理是，它使用二进制数作为存储介质来处理大量数据，当内部电路的电容器中存储有电荷时为1，当没有电荷时为0。 DRAM 由一对称为 FET 的电路和称为存储单元的电容器组成，内部大量存在。

写入数据时，通过FET在电容器中积累电荷且电压变高的部分设置为1，未积累电荷的部分设置为0。读取数据时，相关位置的电荷被释放，通过与写入相反的操作，从电容器中积累的电荷状态区分出0和1。它是一个通过无数次执行这些操作来存储和表示数字数据的系统。

从这个机制可以看出，DARM需要施加电压来在电容器中积累电荷，因此它只能在电流流动时保留信息。因此，DRAM被归类为易失性存储器。