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電子級超純水系統(tǒng)的關鍵技術是什么

來源:四川卓越水處理設備有限公司   2025年04月29日 15:50  

電子級超純水系統(tǒng)的關鍵技術是什么

電子級超純水(UPW)系統(tǒng)是半導體、光伏、顯示面板等行業(yè)的核心配套設備,其水質要求極為苛刻(如電阻率≥18.2 MΩ·cm),中國電子級超純水水質標準如下表。

表 1   電子級水的技術指標GB/T11446. 1— 2013

項 目

技術指標

EW-Ⅰ

EW-Ⅱ

EW-Ⅲ

EW-Ⅳ

電阻率(25℃)/MΩ · cm

≥18 (5%時間不低于 17)

≥15 (5%時間不低于 13)

≥12. 0

≥0. 5

全硅/(μg/L)

≤2

≤10

≤50

≤1000

微粒數(shù)/ (個/L)

0. 05μm~0. 1 μm

500

0. 1 μm~0. 2 μm

300

0. 2 μm~0. 3 μm

50

0. 3 μm~0. 5 μm

20

> 0. 5 μm

4

細菌個數(shù)/(個/mL)

≤0. 01

≤0. 1

≤10

≤100

銅/(μg/L)

≤0. 2

≤1

≤2

≤500

鋅/(μg/L)

≤0. 2

≤1

≤5

≤500

鎳/(μg/L)

≤0. 1

≤1

≤2

≤500

鈉/(μg/L)

≤0. 5

≤2

≤5

≤1000

鉀/(μg/L)

≤0. 5

≤2

≤5

≤500

鐵/(μg/L)

≤0. 1

鉛/(μg/L)

≤0. 1

氟/(μg/L)

≤1

氯/(μg/L)

≤1

≤1

≤10

≤1000

亞硝酸根/(μg/L)

≤1

溴/(μg/L)

≤1

硝酸根/(μg/L)

≤1

≤1

≤5

≤500

磷酸根/(μg/L)

≤1

≤1

≤5

≤500

硫酸根/(μg/L)

≤1

≤1

≤5

≤500

總有機碳/(μg/L)

≤20

≤100

≤200

≤1000

電子級超純水(UPW)系統(tǒng)技術難點主要集中在以下幾個方面:

一、原水預處理階段的挑戰(zhàn)

1、微量污染物去除:需去除膠體、有機物、微生物、溶解氣體(如CO?)等,傳統(tǒng)過濾技術難以穩(wěn)定達到ppb級。

2、抗污染膜設計:超濾(UF)和反滲透(RO)膜需長期耐受高污染原水,防止膜孔堵塞和性能衰減。

3、化學藥劑兼容性:預處理中使用的殺菌劑、絮凝劑可能引入二次污染(如Na?、Cl?殘留)。

二、離子去除技術的極限要求

1、二級RO與EDI的協(xié)同優(yōu)化:

反滲透(RO)需實現(xiàn)99.5%以上的脫鹽率,且需應對低TOC進水條件。

電去離子(EDI)需在無化學再生條件下持續(xù)產(chǎn)出超純水,但高純水環(huán)境下離子遷移效率降低,易出現(xiàn)“極化現(xiàn)象”。

2、痕量離子去除技術:對B、Si等弱電離物質的去除需特殊樹脂或電化學工藝(如除硼核級樹脂、除硅樹脂)。

三、微生物與TOC控制的矛盾

1、超低TOC要求:需聯(lián)合紫外氧化(185nm UV)、高級氧化(AOP)和特殊催化劑將有機物分解為CO?和水,但可能產(chǎn)生中間產(chǎn)物干擾。

2、微生物抑制:管道系統(tǒng)需避免生物膜滋生,需采用臭氧或熱消毒(80℃循環(huán)),但高溫可能加速材料腐蝕。

四、顆粒與溶解氣體的ppb級別去除

1、納米級顆??刂疲航K端過濾需使用≤0.1μm的超濾膜或納米纖維濾芯,但壓差增大易導致顆粒釋放。

2、溶解氧/CO?脫除:真空脫氣膜或膜接觸器需將O?降至ppb級,CO?需通過高pH陰離子交換樹脂轉化。

五、系統(tǒng)設計與超純材料難題

1、超高潔凈材料:管道、閥門需采用電拋光316L不銹鋼或PVDF,表面粗糙度<0.5μm,避免離子析出。

2、零死體積設計:循環(huán)系統(tǒng)需保持≥1 m/s流速防止滯留污染,但高流速可能引發(fā)顆粒脫落。

3、實時監(jiān)測與反饋:在線傳感器(電阻率、TOC、顆粒計數(shù)器)需在超純水環(huán)境中保持精度,避免信號漂移。

六、 運行維護的穩(wěn)定性

1、長期可靠性:樹脂、膜、EDI、過濾濾芯壽命受進水波動影響大,需預測性維護(如EDI電壓監(jiān)控)。


卓水越電子級超純水


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