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EBAC（Electron Beam Absorbed Current）
RCI（Resistive Contrast Imaging）
芯片工艺进入 55 纳米/65 纳米技术节点后，EBAC 技术被引入并得到迅速发展。现如今，EBAC、RCI已成为芯片失效分析（failure analysis, FA）的主要工具之一，用于IC线路的短路，断路，高阻缺陷的隔离和精确定位。
原理：
为了探测芯片的特定电路区域，EBAC 系统配备了纳米探针和扫描电子显微镜 (SEM)。当电子束（primary electron beam）穿透样品表面时，电子流可通过金属探针所吸收，经放大器放大，并通过SEM形成 EBAC 图像。
电子流的穿透深度取决于扫描电镜的加速电压（acceleration voltage）和样品的材料特性。电子束吸收电流流入金属/通孔（Metal/Via）结构，然后由探头测量。如果金属/通孔链断裂或打开，则可通过叠加在SEM图像上的EBAC图像的突然变化来精确定位定位。
对于某些高电阻结构（部分于通孔连接），单个探针无法定位此类缺陷。因此，在 EBAC 技术中需要两个探头，即电阻对比成像（Resistive contrast imaging，RCI）。
结果：
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