图1：CIPOS Mini

CIPOS mini专为低功率电机驱动应用而设计，它采用600V IGBT，适用于功率范围在200W-3.3kW的应用。我们在为电机驱动应用选择合适的开关技术时，需要考虑以下开关参数：

• 转换效率

• 鲁棒性

• 成本

在评估开关转换效率时，考虑潜在的开关损耗至关重要，这包括：

• 导通损耗

• 开关损耗

• 二极管反向恢复损耗

MOSFET和IGBT在导通状态下，都会产生导通损耗。

MOSFET的损耗是导通电阻（Rdson）引起的，导致导通期间出现压降。该电阻随着温度的升高而增加，在高温下会导致更高的损耗。

IGBT的导通损耗也是由器件导通（ON）时的压降造成的，用参数Vce(sat)表示。相同电流密度下，它随温度的变化程度较低。

图2比较了相同芯片尺寸的MOSFET（IP60R099C6）和IGBT（IRGP4063D）的压降随温度的变化情况。

图2：在相同电流密度下，两个器件的导通压降与温度的关系

一般而言，MOSFET的开关速度比IGBT更快。

MOSFET属于电压控制器件，其开关速度取决于充放电栅极电容的时间。由于栅极电容较小，它可以更快地从导通状态和关断状态进行转换，实现快速的充放电。

IGBT也属于电压控制器件，但它整合了MOSFET和双极晶体管的特性。由于内部存在双极晶体管结构，因此与MOSFET相比，IGBT的开关速度更慢。由于在开关过程中，IGBT需要克服内部晶体管基极区存储的电荷，这增加了开关过程的延迟。

MOSFET在其结构中固有地包含一个内置二极管，这一特性无法更改。与此相反，IGBT在其结构中没有集成二极管。英飞凌在其智能功率?？?i class="wx_search_keyword" style="margin: 0px; padding: 0px; outline: 0px; max-width: 100%; display: inline-block; vertical-align: super; font-size: 10px; width: 1.2em; height: 1.2em; -webkit-mask-position: 50% 50%; -webkit-mask-repeat: no-repeat; -webkit-mask-size: 100%; background-color: var(--weui-LINK); -webkit-mask-image: url(" 3csvg="" width="12" height="12" viewbox="0 0 12 12" fill="%23576B95" xmlns="http://www.w3.org/2000/svg" 3cpath="" fill-rule="evenodd" clip-rule="evenodd" d="M7.60772 8.29444C7.02144 8.73734 6.29139 9 5.5 9C3.567 9 2 7.433 2 5.5C2 3.567 3.567 2 5.5 2C7.433 2 9 3.567 9 5.5C9 6.28241 8.74327 7.00486 8.30946 7.5877C8.3183 7.59444 8.3268 7.60186 8.33488 7.60994L10.4331 9.70816L9.726 10.4153L7.62777 8.31704C7.62055 8.30983 7.61387 8.30228 7.60772 8.29444ZM8 5.5C8 6.88071 6.88071 8 5.5 8C4.11929 8 3 6.88071 3 5.5C3 4.11929 4.11929 3 5.5 3C6.88071 3 8 4.11929 8 5.5Z" box-sizing:="" border-box="" overflow-wrap:="" break-word="">中使用了快恢复二极管。通过超薄晶圆和场截止等先进技术，发射极控制二极管适用于消费和工业应用，反向恢复过程平稳，从而显著降低IGBT的导通损耗。

在电机驱动应用中，所选开关器件的鲁棒性发挥着重要作用。这需要评估系统短路期间的器件行为。

IGBT在典型的工作模式中，会在导通（ON）期间在饱和区内工作；在短路时，集电极电流（Ic）激增，迅速从饱和区转移到有源区。这种转变会导致集电极电流受到自身的限制，而不受集电极-发射极电压（Vce）的影响，因此，IGBT电流的增加及随后的功耗是自动受到限制的。

相比之下，MOSFET在正常导通（ON）期间，在线性区运行；在短路时，MOSFET进入饱和区。与IGBT不同，MOSFET的线性区很广。从线性区向饱和区的转变，发生在较高的漏源电压（Vds）水平下。随着Vds值增加，漏极电流也增加。但由于Vds不断升高，器件往往在抵达该转变点之前，就发生故障。

这些固有特性将影响MOSFET短路?；せ频氖迪址绞?，因此，其设计与IGBT不同。

IGBT的这些特性使其更具鲁棒性，因此，更适用于电机驱动应用。

精简的IGBT生产流程比MOSFET更具竞争优势。这些优势带来了规模经济效应，提高了基于IGBT的IPM的成本效益。