软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行,软烘设备工作原理如图2.17所示,硅片放在真空热板上,热量从硅片背面通过热传导方式加热光刻胶。一般软烘温度为85~120℃,时间为30~60S。软烘后将硅片转移到轨道系统的冷板上冷却以便下一步操作。
以光学紫外曝光为例,首先将硅片定位在光学系统的聚焦范围内,硅片的对准标记与掩模版上相匹配的标记对准后,紫外光通过光学系统和掩模版图形进行投影。掩模版图形若以亮暗的特征出现在硅片上,这样光刻胶就曝光了。
相关产品
免责声明
- 凡本网注明“来源:化工仪器网”的所有作品,均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-化工仪器网合法拥有版权或有权使用的作品,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明“来源:化工仪器网”。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。
- 本网转载并注明自其他来源(非化工仪器网)的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品第一来源,并自负版权等法律责任。
- 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。