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    半导体制造工艺中，PECVD(等离子体增强化学的气相沉积法)、干蚀刻和溅射等工序会用到等离子体，这时需要用到气体。PECVD是在超低压室内完成的工序,几乎是在真空的状态下制造,然后供应需要的气源(氩气)。室内的电极位于两侧，其中连接高频AC电压，产生等离子体。根据沉积需要提供含有待沉积材料的气体,例如提供SiH₄的气体以沉积SiO。溅射工序在与PECVD类似的设备中进行,放入目标物质,生成等离子后，其中的离子和电子在电压的作用下加速(此时也使用Ar),它们与目标物质发生碰撞,使目标物质的金属原子脱离出来,沉积在基板上。工序结束后,为了从chamber中取出基板，还会使用氮气把气压提升至1个大气压。干蚀刻也类似，此时所用的气体为SF、Cl₂、0₂等。

    半导体工序中使用的气体纯度对工序及杂质含量产生影响。因此，对这些高纯度气体的金属杂质含量评估非常重要。

    本文实验了几种高纯度气体的预处理和分析方法。

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