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    半导体用高纯硫酸中此类金属杂质的含量在100ppt以下,这样的含量是可以直接用ICP-MS检测的,但98%的硫酸粘度比较大,直接引入ICP-MS会有问题，必须稀释10倍以上。所以实际上需要能稳定检测10ppt以下此类金属的高灵敏度ICP-MS, Ti、V、Cr及Zn需要克服超痕量检测的极限，同时要消除以SO⁺、S³⁺、HSO⁺、ArS⁺为代表的硫的干扰。

 

    本应用的目的是验证NexION 2000S对半导体工艺中广泛应用于清除硅片表面高分子有机污染物的高纯硫酸中Ti.、V、Cr、Zn的检测能力。于半导体高纯样品分析的NexION 2000S为了能消除硫引起的干扰、在10ppt以下获得稳定的分析结果,通过利用DRC功能直接去除硫的干扰或运用氨质量转移(M++ NH3-→M-NH³⁺)方法，从硫酸中检测出Ti、V.Cr及Zn。