聯(lián)系電話
高斯摩(成都)國際貿(mào)易有限公司
中級會員·1年
- 聯(lián)系人：
- 李科霖
- 電話：
- 86-028-87319898
- 手機：
- 15520810088
- 傳真：
- 86-028-85068959
- 地址：
- 四川省成都市高新區(qū)天府大道中段500-1號天祥廣場C座4527室
- 個性化：
- www.cosimoinc.com.cn
掃一掃訪問手機商鋪
DRAM 是一種使用半導(dǎo)體元件的易失性存儲設(shè)備（存儲器）。
動態(tài)隨機存取存儲器的縮寫，主要安裝在計算機中。由于內(nèi)部電路具有非常簡單的結(jié)構(gòu)，具有用于存儲電荷的電容器和FET（場效應(yīng)晶體管），因此由于FET半導(dǎo)體工藝的小型化，其具有低存儲容量單元的特點，因此適合大規(guī)模集成。與其他存儲介質(zhì)相比的價格。
DRAM的使用
DRAM 的主要用途是在計算機中。存儲器部分采用電容器和FET（場效應(yīng)晶體管），結(jié)構(gòu)簡單，存儲器容量的單價較低，適合用于需要廉價、大容量存儲器的計算機和工業(yè)機械控制設(shè)備。正在
由于DRAM的結(jié)構(gòu)是利用電容器累積的電荷來存儲信息，因此它會消耗大量電力，因為它不斷執(zhí)行刷新操作來寫入和讀取信息以保持電荷，因此很少在小型設(shè)備中使用例如智能手機和移動終端。
內(nèi)存原理
DRAM背后的原理是，它使用二進制數(shù)作為存儲介質(zhì)來處理大量數(shù)據(jù)，當(dāng)內(nèi)部電路的電容器中存儲有電荷時為1，當(dāng)沒有電荷時為0。 DRAM 由一對稱為 FET 的電路和稱為存儲單元的電容器組成，內(nèi)部大量存在。
寫入數(shù)據(jù)時，通過FET在電容器中積累電荷且電壓變高的部分設(shè)置為1，未積累電荷的部分設(shè)置為0。讀取數(shù)據(jù)時，相關(guān)位置的電荷被釋放，通過與寫入相反的操作，從電容器中積累的電荷狀態(tài)區(qū)分出0和1。它是一個通過無數(shù)次執(zhí)行這些操作來存儲和表示數(shù)字數(shù)據(jù)的系統(tǒng)。
從這個機制可以看出，DARM需要施加電壓來在電容器中積累電荷，因此它只能在電流流動時保留信息。因此，DRAM被歸類為易失性存儲器。
