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基于SUSS MicroTec的光刻机经典设计，MA100/150e Gen2提供了工艺延展性，使客户能够将新的芯片设计快速投入市场，其光刻作业产量高达每小时145片。

MA100/150e Gen2针对上至4英寸的小尺寸晶圆片进行了特别优化设计。系统可以稳定地达到优于0.7µm的对准精度（直接对准）。选配的底部对准功能（BSA），对准精确度优于±1.5 µm。MA100/150e的对准单元针对LED制造工艺要求进行了特别调校，透明和表面粗糙的晶圆片都能获得好的对比度。

将一个已形成结构的掩模与圆晶对齐，然后将掩模与圆晶的距离缩得非常小（因此又叫“接近式光刻"）。 在曝光过程中，掩模结构的影子被转移到圆晶上。 掩模于圆晶之间距离的精度以及曝光镜头系统的质量，一起决定了曝光结果的质量。

该方法因为速度快，应用灵活，从而成为微结构生产具有成本效益的方法，它能生产出最小4微米的微结构。 接触式曝光能达到亚微米级别的分辨率。 典型的应用范围包括圆晶级芯片尺寸封装、倒装芯片封装、凸点、微电子机械系统（MEMS）、LED和电力设备等领域。 这些系统被应用到了大规模生产的以及工业研究领域中。