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高温高压光学浮区炉

日本CSC司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。

模型fz - t - 10000 h -八世(vpo)电脑

卤素灯系统

灯和镜子的数量4个

镜子数量4片

大气

压力

压力0.95 MPa

真空6.7×10-3Pa (5×10-5 Torr)

室

(石英管)

常压φ 50mm / 365 mm长/ 2mm厚

高压φ 50mm / 365 mm长/ 5mm厚

轴密封为o型密封圈

Max。温度2200℃

常温1850℃

灯功率1200w (300W × 4个灯)

4,000W (1,000W x 4盏灯)

6,000W (1,500W × 4盏灯)

镜台/轴镜台与上轴垂直转移

周围温差

杆面

＜30℃

灯具冷却空气

镜面冷却空气

Max。晶体长度(mm) 150

Max。进给长度(mm) 150

生长罕见缓慢移动0.01~300mm/hr

生长速度快移6~150mm/min

轴转速5~100rpm

监控CCD摄像头和LCD

控制系统计算机LabVIEW / Windows 10(带远程控制功能)

手动Hand-control-box

①5L/min氩气流量计(*1)

②500cc/min氧流量计

③10L/min带压缩机的空气流量计

公用事业电力3相200V, 40A

水冷：3 ~ 5 l / min

尺寸(mm)主体W850×D760×H1950

控制箱W605×D760×H1700

备注:

1. 可选灯功率:150W / 500W / 750W

2. (*1)可更改其他类型的气体和流量。

3. 质量保证:

Crystal Systems Corporation保证自安装之日起一(1)年内有效，但以下情况除外

不正常使用。(1)灯(2)镜子(3)石英管等玻璃器皿不在保修期内。