扫描隧道显微镜/NAP-STM（Scanning Tunneling Microscope, STM）是一种基于量子隧穿效应的高分辨率表面分析仪器，能够在原子尺度上直接观测导电材料的表面形貌。

扫描隧道显微镜/NAP-STM技术指标：

1.腔体结构

1.1配置不锈钢STM分析腔，配备离子泵、机械泵、真空规等泵抽系统，背景真空优于1*10-9mbar

1.2配备不锈钢快速进样室，配备泵抽系统，背景真空优于5*10-8mbar

2.近常压变温扫描头

2.1最大扫描范围不小于1.0μmx1.0μm（T＞350K）

2.2X/Y方向的补偿范围：≥±750nm；Z方向为±115nm

2.3气压工作范围，不小于UHV-100mbar

2.4温度控制范围：UHV条件下，不小于220K-700K，10mbar压力下，不小于RT-500K

2.5低温下（150K< T）

2.6扫描头机械稳定性（针尖固定位置不动，在恒压恒流模式下，Z中噪音的峰峰值）：<5pm

2.7配备近常压进气气路

2.8配置温度控制单元和样品转移机械手

3.STM控制器

3.1匹配前放增益1V/nA

3.2隧穿电流范围：不小于0.01nA–50nA

3.3具有快速扫描功能，数据获取速度：不低于1000000像素/秒

3.4配备配套软件和数据处理系统一套

4.针尖刻蚀离子源

4.1用于针尖原位处理，离子能量范围最大：不小于5keV

4.2离子束流（Ar气）最大值：≥20μA