目錄:徠飛光電科技(深圳)有限公司>>光電探測(cè)器>>單點(diǎn)探測(cè)器>> 可見近紅外高速探測(cè)器(350nm~1700nm)
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更新時(shí)間：2025-07-23 11:28:11瀏覽次數(shù)：113評(píng)價(jià)
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| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
可見近紅外高速探測(cè)器(350nm~1700nm)應(yīng)用領(lǐng)域：
光源脈寬標(biāo)準(zhǔn)
脈沖激光器形狀
脈沖激光器脈寬
高精度同步
UPD系列高速探測(cè)器，有提供改進(jìn)型的InGaAs探測(cè)器，可以覆蓋350nm~1700nm，可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)探測(cè)器覆蓋整個(gè)波段范圍，針對(duì)多個(gè)波長(zhǎng)的應(yīng)用，無需切換探測(cè)器。
可見近紅外高速探測(cè)器(350nm~1700nm)參數(shù)參數(shù)
型號(hào) | 上升沿(ps) | 帶寬(GHz) | 光譜范圍(nm) | 峰值量子效率 | 感光面積 | 等效噪聲功率(W/√Hz) | 暗電流 | 材料 | 光學(xué)窗口 | RF接頭 |
UPD-35-UVIR-P | < 35 | > 10 | 350 - 1700 | 80% | 55/0.0024 | 1.0 X 10-15 | 0.3 | InGaAs | Polished, MgF2 | SMA |
UPD-35-UVIR-D | < 35 | > 10 | 350 - 1700 | 80% | 55/0.0024 | 1.0 X 10-15 | 0.3 | InGaAs | Diffuse, quartz | SMA |
UPD-40-VSI-P | < 40 | > 8.5 | 500 - 1690 | 40% | 200x200/0.04 | 3.0 X 10-10 | 5000 | InGaAs | Polished, glass | SMA |
UPD-40-UVIR-P | < 40 | > 8.5 | 350 - 1700 | 80% | 60/0.0028 | 1.1 X 10-15 | 0.5 | InGaAs | Polished, MgF2 | SMA |
UPD-40-UVIR-D | < 40 | > 8.5 | 350 - 1700 | 80% | 60/0.0028 | 1.1 X 10-15 | 0.5 | InGaAs | Diffuse, quartz | SMA |
UPD-70-UVIR-P | < 70 | > 5.0 | 350 - 1700 | 80% | 80/0.005 | 2.0 X 10-15 | 0.8 | InGaAs | Polished, MgF2 | SMA |
UPD-70-UVIR-D | < 70 | > 5.0 | 350 - 1700 | 80% | 80/0.005 | 2.0 X 10-15 | 0.8 | InGaAs | Diffuse, quartz | SMA |
UPD-100-IR1-P | < 100 | > 3.0 | 400 - 2000 | 80% | 80/0.005 | 3.0 X 10-13 | 700 | Ge | Polished, glass | SMA |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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