18600717106
当前位置：> 供求商机> ScIDre HKZ高温高压光学浮区炉
德国SciDre公司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。
┃ 设备技术参数
采用垂直式光路设计
采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选
熔区温度：>3000℃
熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选
氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选
采用光栅控制技术，加热功率从0-99% 连续可调
样品腔可实现低至10-5mbar真空环境
丰富的可升选件
请输入账号
请输入密码
请输验证码
以上信息由企业自行提供，信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责，化工仪器网对此不承担任何保证责任。
温馨提示：为规避购买风险，建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。
