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在制造半導(dǎo)體芯片的絕緣層（如二氧化硅薄膜）時，常用的化學(xué)氣相沉積方法是使用硅烷（SiH?）和氧氣（O?）作為反應(yīng)氣體。氣體質(zhì)量流量控制器（MFC）精確控制硅烷和氧氣的流量，確保它們以準(zhǔn)確的比例進(jìn)入反應(yīng)室。這對于生成高質(zhì)量、均勻的二氧化硅薄膜至關(guān)重要。因為薄膜的厚度、成分和質(zhì)量直接影響半導(dǎo)體器件的性能，如絕緣性能和電子遷移特性。