C3216X5R1E336MT000E tdk多層陶瓷電容（MLCC）專業(yè)解析
tdk多層陶瓷電容——1206封裝/X5R介質(zhì)/25V/33μF ±20% 高性價比解決方案來了解下深圳谷京吧：136--1307--7949（魏信同號）
一、核心參數(shù)速覽
| 特性 | 規(guī)格值 |
|---|---|
| 型號 | C3216X5R1E336MT000E（TDK原廠編碼） |
| 封裝尺寸 | 1206（3.2mm×1.6mm×1.6mm） |
| 介質(zhì)材料 | X5R（-55℃~+85℃溫度穩(wěn)定性） |
| 額定電壓 | 25V DC |
| 標稱容量 | 33μF（±20%容差） |
| ESR | 典型值＜10mΩ（@100kHz） |
| 損耗角正切 | ≤5%（@1kHz, 1Vrms） |
二、深度技術(shù)解析
材料與結(jié)構(gòu)優(yōu)勢
X5R介質(zhì)：在-55℃~+85℃范圍內(nèi)容量變化率≤±15%，平衡了高容量與溫度穩(wěn)定性，適用于消費電子和工業(yè)場景。
多層堆疊工藝：TDK采用納米級陶瓷粉體壓制技術(shù)，實現(xiàn)33μF高容量與1206小型化的兼容。
電氣性能亮點
低ESR設(shè)計：優(yōu)化電極結(jié)構(gòu)降低等效串聯(lián)電阻，提升高頻濾波效率（如開關(guān)電源輸出端去耦）。
電壓降額建議：25V額定電壓下，推薦實際工作電壓≤20V以延長壽命（高溫環(huán)境下需進一步降額）。
可靠性驗證
通過1000小時85℃/85%RH高溫高濕測試（依據(jù)JIS C5101-8標準）。
機械強度滿足10次回流焊（峰值溫度260℃）無開裂。
三、典型應(yīng)用場景
電源電路：DC-DC轉(zhuǎn)換器輸入/輸出濾波、LDO穩(wěn)壓器旁路。
信號處理：高速數(shù)字電路（如FPGA、DSP）的局部去耦電容。
消費電子：智能手機快充模塊、TWS耳機充電倉儲能。
四、選型對比與替代建議
| 對比項 | C3216X5R1E336MT000E | 同規(guī)格競品（如村田GRM31CR61E336KE15L） |
|---|---|---|
| 容量穩(wěn)定性 | ±15%（X5R） | ±15%（X5R） |
| ESR典型值 | 8mΩ | 12mΩ |
| 價格競爭力 | ★★★★☆ | ★★★☆☆ |
替代方案：若需更高溫度穩(wěn)定性，可考慮X7R介質(zhì)型號（如TDK C3216X7R1E336KT000H），但成本提升約30%。
五、采購與技術(shù)支持
供應(yīng)鏈保障：TDK原廠直供，交期通常為8-12周（批量訂單可協(xié)商加急）。
增值服務(wù)：提供免費樣品申請、PCB布局優(yōu)化建議（如避免機械應(yīng)力導(dǎo)致的裂紋）。
注：具體設(shè)計需結(jié)合實際工況評估，建議通過TDK仿真工具（如SimSurfing）驗證參數(shù)匹配性。
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