NTT Innovative Devices二極管模塊FMB

產(chǎn)品型號：IOD-FMB-18001

產(chǎn)品介紹：

IOD-FMB-18001模塊是應用超低噪聲平方律檢測的理想選擇。獲得的電壓靈敏度在300GHz時高達2MV/W，在1THz時高達0.2MV/W。

噪聲等效功率（NEP）估計在300GHz時低至5.0pW/Hz0.5，在1THz時低至45pW/Hz 0.5。

Femi-level managed barrier（FMB）二極管模塊是一種基于InP/InGaAs異質(zhì)結構的超低噪聲太赫茲探測器。代替肖特基勢壘二極管（SBD）中的金屬/半導體界面，在FMB二極管中使用InGaAs/InP異質(zhì)界面（勢壘高度～100meV）。

此低勢壘高度提供低二極管差分電阻（Rd）以及二極管與寬帶蝴蝶結天線之間的良好阻抗匹配。

性能特點：

異質(zhì)勢壘結構由n-InGaAs、未摻雜的InP和n-InP層組成。由于高摻雜n-InGaAs中的費米能級可以遠高于導帶邊緣，這取決于載流子密度，異質(zhì)界面處的勢壘高度（ΦBn）可以降低到100meV或更小。由于低勢壘高度，F(xiàn)MB二極管產(chǎn)生約5.0pW/Hz0.5的良好NEP。

技術參數(shù)：

• 型號：IOD-FMB-18001

• 模塊配置：帶運算放大器的零偏置FMB二極管

• 天線類型：自帶蝴蝶結天線

• 透鏡類型和直徑：超半球形（直徑10mm）

• 太赫茲帶寬：>200GHz

• 前置放大器類型：低噪聲運算放大器

• 前置放大器帶寬：20Hz-15kHz

• 輸出連接器：SMA（內(nèi)螺紋）

• 電源：DC±5V

• 產(chǎn)地：日本

噪聲等效功率（NEP）：

• 5pW/sqrt（Hz）@300GHz

• 1000GHz時為45pW/sqrt（Hz）

電壓靈敏度：

• 2MV/W@300GHz

• 0.2MV/W@1000GHz