目录:四川梓冠光电科技有限公司>>硅基芯片>>芯片>> 梓冠单片集成 10bit 可调光延时器芯片高速切换
一、SOI芯片光延时线的定义
SOI芯片式低偏振相关损耗可调光延时线，该产品基于级联的高速光开关和延时光路组成，实现大量程、高精度量化可调光延时线的片上集成，本产品通过创新设计实现了超低偏振相关性损耗，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光电一体化封装产品方案。
二、SOI芯片光延时线的特点
多通道
高集成度芯片化
高速响应
三、SOI芯片光延时线的应用
光纤传感
光纤通信
激光雷达
四、SOI芯片光延时线的性能指标
| 参数指标 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
| 波长范围 | nm | 1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm | ||
| 单级热调功耗 | mW | 100 | ||
| 单级电调功耗 | mW | 10 | ||
| 光纤接入损耗 | dB | 12@9 bit | ||
| 偏振相关损耗 | dB | 0.5 | ||
| 延时量精度 | ps | 30@2048 pS | ||
| 延迟步进 | ps | 2 | ||
| 平坦度 | dB | <0.5 dB@2048 pS | ||
| 响应速率 | Hz | >20kHz@热调试模式，>10MHz@电调模式 | ||
| 最大延时量 | ps | 1024/2048 或可定制 | ||
| 延时量量化位数 | bit | 10或可定制 | ||
| 通道数 | 1或可定制 | |||
| 工作温度范围 | ℃ | -20 | 50 | |
| 工作湿度范围 | % | +65 | ||
| 芯片尺寸 | mm | 8.1(L)x2.3(W)x0.5(H) | ||
五、SOI芯片光延时线的芯片尺寸
六、四川梓冠光电SOI芯片光延时线订货信息
| 波长 | 类型 | 通道数 |
13=1310nm 15=1550nm | 10-2048=10 bit，2048 ps XX=other | 1=1CH，4=4CH，8=8CH，16=CH 48=48CH，XX=0ther |
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