拉力電極阻抗譜

美國(guó) 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一

該細(xì)胞組織微電極陣列拉伸刺激與成像記錄系統(tǒng)是研究人員以機(jī)械方式拉伸細(xì)胞/組織，對(duì)其進(jìn)行光學(xué)成像以及單/同時(shí)記錄/刺激電生理活動(dòng)的完整解決方案。

電阻抗定量測(cè)量分析，測(cè)量結(jié)果方便導(dǎo)出為excel表格：

阻抗測(cè)試通常用于確定不良記錄的來(lái)源，這可能是由高電極阻抗、不正確的屏蔽/接地或其他問(wèn)題引起的。 sMEA 和MEA的阻抗測(cè)量通常使用 PBS 或細(xì)胞培養(yǎng)基作為電解質(zhì)進(jìn)行。

該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)阻抗定量測(cè)量以及活細(xì)胞電活動(dòng)記錄表征 :

典型應(yīng)用場(chǎng)景：

1、細(xì)胞應(yīng)力加載模型

2、細(xì)胞電刺激模型

3、細(xì)胞力-電多場(chǎng)偶聯(lián)刺激模型

4、用于響應(yīng)于機(jī)械力生成電信號(hào)研究

5、細(xì)胞機(jī)械-電興奮研究

BMSEED建立了新的多場(chǎng)耦合作用下體外細(xì)胞刺激記錄分析模型，將多通道微電極電刺激、細(xì)胞阻抗定量測(cè)量、電活

動(dòng)記錄以及生長(zhǎng)因子作為非力學(xué)因素引入模型，增加模型中的綜合因素，使模型更加合理化。