平行板电容式PECVD 参考价：面议
平行板电容式PECVD是一种用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电...
球形脉冲激光沉积系统（PLD） 参考价：面议
该系统为球形脉冲激光沉积系统（PLD）工艺研发设备。脉冲激光沉积 （Pulsed laser deposition, PLD），就是将激光聚焦于靶材上一个较小的...
高真空三温区CVD系统OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV 参考价：面议
高真空三温区CVD系统OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道质量流量控制器和高真空机组组成的CVD系统，其炉管直径为4″，Z高温度可达1200℃，极限真...
快速升温CVD系统RTP-1000-F3LV 参考价：面议
快速升温CVD系统RTP-1000-F3LV是专为半导体基片、太阳能电池及其它样品（尺寸可达3″ ）的退火而设计，配有3路流量计和机械泵。本机采用 9KW的红外...
开启式单温区低真空CVD系统OTF-1200X-F3LV 参考价：面议
开启式单温区低真空CVD系统OTF-1200X-F3LV是由开启式单温区管式炉、机械泵、三通道浮子混气系统组成，可为CVD或扩散实验提供1-3种的混合气体，真空...
高真空CVD系统OTF-1200X-80-C2HV 参考价：面议
高真空CVD系统OTF-1200X-80-C2HV是由单温区管式炉、两路质子混气系统和高真空机组组成，Z高工作温度可达1200℃，混气系统可以对两种气体进行精确...
1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统 OTF-1200X-4-C4LV 参考价：面议
1200℃双管滑动式四通道混气CVD系统OTF-1200X-4-C4LV是专门为在金属箔表面生长薄膜而设计的，特别是应用在新一代能源——柔性金属箔电极方面的研究...
高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV 参考价：面议
高真空快速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成，可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品（尺寸可达3...
带滑动法兰三温区CVD系统OTF-1200X-5-III-F3LV 参考价：面议
带滑动法兰三温区CVD系统OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加热至1200℃，并通过调整三个温区而建立不同梯度的热场，可进行退火、扩散、在不同气氛...
4路质子混气管式PECVD系统 参考价：面议
4路质子混气管式PECVD系统是为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，环境温度在100-300℃，但反应气体在辉光放电等离子体中能...
1700℃单温区三通道混气CVD系统GSL-1700X-F3LV 参考价：面议
1700℃单温区三通道混气CVD系统GSL-1700X-F3LV是由单温区管式炉、三路浮子混气系统和双旋片式真空泵组成，Z高工作温度可达1700℃，混气系统可以...
1700℃两通道混气高真空CVD系统GSL-1700X-4-C2HV 参考价：面议
1700℃两通道混气高真空CVD系统GSL-1700X-4-C2HV是由单温区管式炉、两路质子混气系统和高真空机组组成，Z高工作温度可达1600℃，混气系统可以...
微型PECVD系统 参考价：面议
微型PECVD系统采用Φ 3“ × 16“ 的石英腔体，内部设有加热圈对样品进行加热，Z高温度可以达到400℃，且采用程序化控温，系统还配有2...
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