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PVI-4TE系列是基于复杂的HgCdTe异质结构的四级热电冷却红外光电探测器，具有好的性能和稳定性，同时采用光学浸入来改善器件的参数。探测器在λopt时具有好性能。起始波长可根据需要进行优化。反向偏置电压可以显著提高响应速度和动态范围以及高频下的性能，但偏置器件中出现的1/f噪声可能会降低低频下的性能。3°楔状蓝宝石(wAl2O3)或硒化锌抗反射涂层(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干扰影响。
● 含有四级TE制冷以提高探测器性能
● 可探测中红外波长范围2-12μm
● 可配专用前置放大器
● 1mm×1mm大尺寸光敏面
● 带有抗反射涂层窗口镜
● 带有超半球微型砷化镓透镜实现光学浸没，有效提升探测效率
TO8型封装外形尺寸图
参量 | 数值 | |
浸没微型透镜形状 | 超半球形 | |
光学区域面积AO；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 |
R,mm | 0.5 | 0.8 |
A,mm | 7.3±0.4 | 6.4±0.4 |
备注：
?—接收角度；
R—超半球微型透镜半径
A—4TE-TO8型封装顶部下表面与焦平面的距离
2TE-TO8引脚定义
功能 | PIN号 |
探测器 | 1,3 |
反向偏压（可选） | 1（-）,3（+） |
热敏电阻 | 7,9 |
TE冷却器供应 | 2（+），8（-） |
底板接地 | 11 |
未使用 | 4，5，6，10，12 |
4TE-TO66封装尺寸图
参量 | 数值 | |
浸没微型透镜形状 | 超半球形 | |
光学区域面积AO；mm×mm | 0.5×0.5 | 1×1 |
R,mm | 0.5 | 0.8 |
A,mm | 8.35±0.4 | 7.45±0.4 |
备注：
?—接收角度；
R—超半球微型透镜半径
A—4TE-TO66型封装顶部下表面与焦平面的距离
TO66引脚定义
功能 | PIN号 |
探测器 | 7，8 |
反向偏压（可?。?/span> | 7（-）,8（+） |
热敏电阻 | 5,6 |
TE冷却器供应 | 1（+），9（-） |
未使用 | 2，3，4 |
● 医学热成像
● 红外光谱分析
● 中红外气体吸收检测
● 中红外激光探测
参数 | 探测器型号 | ||||||
PVI-4TE-3 | PVI-4TE-3.4 | PVI-4TE-4 | PVI-4TE-5 | PVI-4TE-6 | PVI-4TE-8 | PVI-4TE-10.6 | |
有源元件材料 | 外延MCT异质结构 | ||||||
最佳波长λopt，μm | 3 | 3.4 | 4 | 5 | 6 | 8 | 10.6 |
探测灵敏度D*(λpeak），cm·Hz?/w | ≥1×1012 | ≥8×1011 | ≥6×1011 | ≥3×1011 | ≥8×1010 | ≥5×109 | ≥4×109 |
探测灵敏度D*(λopt），cm·Hz?/W | ≥8×1011 | ≥7×1011 | ≥4×1011 | ≥1×1011 | ≥6×1010 | ≥4×109 | ≥2×109 |
电流响应度Ri(λopt)，A/W | ≥0.5 | ≥0.8 | ≥1.0 | ≥1.3 | ≥1.5 | ≥0.5 | |
时间常数T，ns | ≤280 | ≤200 | ≤100 | ≤80 | ≤50 | ≤45 | ≤25 |
电阻-感光元件面积乘积R·AO,Ω·cm2 | ≥30000 | ≥2000 | ≥800 | ≥40 | ≥3 | ≥0.06 | ≥0.05 |
有源元件温度Tdet,K | ~195 | ||||||
感光面面积AO，mm×mm | 0.5×0.5,1×1 | ||||||
封装 | TO8,TO66 | ||||||
接收角Φ | ～36° | ||||||
窗口 | wAl2O3 | wZnSeAR | |||||
探测器光谱响应特性曲线
热敏电阻特性曲线
四级TE冷却参数表
参量 | 数值 |
Tdet , K | ~195 |
Vmax , V | 8.3 |
Imax , A | 0.4 |
Qmax , W | 0.28 |
抗反射涂层窗口光谱透过率曲线
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