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III-V族短波紅外探測(cè)器光敏材料為InAs，采用SMD封裝，波長(zhǎng)響應(yīng)為1.3-3.6微米、覆蓋從短波到中波紅外，無(wú)需制冷工作在室溫環(huán)境，適合用于CO、HF、NH₃、C₂H₂、CH₄、C₂H₆、HCI等氣體探測(cè)。

III-V族短波紅外探測(cè)器的主要技術(shù)指標(biāo)：

工作環(huán)境溫度：20 攝氏度；

峰值響應(yīng)波長(zhǎng)：2.9微米；

峰值電流響應(yīng)率Ri：0.6 A/W;

峰值探測(cè)器D*：>3.0x10⁹

1.3微米處響應(yīng)率：>10%峰值響應(yīng)率；

3.6微米處響應(yīng)率：>10%峰值響應(yīng)率；

響應(yīng)時(shí)間：<45 納秒

封裝：SMD；

入射角：>115 度